SECTIE C         CHEMIE; METALLURGIE

 

              Aantekeningen

 

(1)        In Sectie C zijn de definities van groepen chemische elementen als volgt:

Alkalimetalen:                 Li, Na, K, Rb, Cs, Fr

Aardalkalimetalen:           Ca, Sr, Ba, Ra

Lanthaniden:                   elementen met atoomgetallen 57 t/m 71

Zeldzame aardmetalen:    Sc, Y, Lanthaniden

Actiniden:                       elementen met atoomgetallen 89 t/m 103

Vuurvaste metalen:          Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W

Halogenen:                      F, Cl, Br, I, At

Edelgassen:                    He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn

Platinagroep:                   Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd

Edele metalen:                Ag, Au, platinagroep

Lichte metalen:                alkalimetalen, aardalkalimetalen, Be, Al, Mg

Zware metalen:                metalen anders dan lichte metalen

IJzergroep:                      Fe, Co, Ni

Niet-metalen:                   H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, edelgassen, halogenen

Metalen:                         elementen anders dan niet-metalen

Transitie-elementen:         elementen met atoomgetallen 21 t/m 30, 39 t/m 48, 57 t/m 80, en 89 en hoger

              (2)      Onder Sectie C vallen:

                        (a)      Pure chemie, waaronder vallen anorganische verbindingen, organische verbindingen, macromoleculaire verbindingen, en hun bereidingsmethoden;

                        (b)      Toegepaste chemie, waaronder vallen samenstellingen met bovenstaande verbindingen, bijv. glas, keramiek, meststoffen, kunststofsamenstellingen, verven, en producten uit de petroleumindustrie. Ook vallen hieronder bepaalde samenstellingen op grond van het hebben van bijzondere eigenschappen, die ze geschiklt maken voor bepaalde doeleinden, zoals in geval van explosieven, kleurstoffen, kleefmiddelen, smeermiddelen, en wasmiddelen.

                        (c)      Bepaalde marginale industrieën, zoals het maken van kolen en van vaste of gasvormige brandstoffen, de productie and raffinage van oliën, vetten en wassen, de fermentatie-industrie (bijv. brouwerijen en wijnmakerijen), en de suikerindustrie.

                        (d)      Bepaalde bewerkingen of behandelingen, die ofwel puur meachnisch zijn, bijv. de mechanische behandeling van leer en huiden, of gedeeltelijk mechanisch, bijv. de behandeling van water of het voorkomen van corrosie in het algemeen.

                        (e)      Metallurgie, en ferrolegeringen of niet-ferrolegeringen.

              (3)      In alle Secties van de IPC is het Periodiek Systeem van chemische elementen waarnaar wordt verwezen, dezelfde als die algemeen aanvaard en gebruikelijk is.

              (4)      (a)      In geval van bewerkingen, handelingen, producten of artikelen met zowel een chemisch als een niet-chemisch gedeelte of aspect, geldt de algemene regel dat het chemische gedeelte of aspect valt onder Sectie C.

                        (b)      In sommige van deze gevallen brengt het chemische gedeelte of aspect een niet chemische met zich mee, zelfs als dat puur mechanisch is, omdat dit laatste aspect ofwel essentieel is voor de bewerking of handeling, of daarvan een belangrijk deel uitmaakt. In feite blijkt het logischer de verschillende gedeelten of aspecten niet te scheiden van een samenhangend geheel. Dit geldt voor toegepaste chemie en voor de industrieën, bewerkingen en handelingen genoemd in de Aantekeningen (1)(c), (d) en (e). Bijvoorbeeld vallen ovens specifiek bedoeld voor het maken van glas onder klasse C03 en niet onder klasse F27.

                        (c)      Er zijn echter sommige uitzonderingen, waarin het mechanisch (of niet-mechanische) aspect juist het chemische aspect met zich meebrengen, bijvoorbeeld:

                                 -         Bepaalde extractieprocessen, in subklasse A61K;

                                 -         De chemische zuivering van lucht, in subklasse A61L;

                                 -         Chemische methoden van brandbestrijding, in subklasse A62D;

                                 -         Chemische processen en apparatuur, in klasse B01;

                                 -         Impregneren van hout, in subklasse B27K;

                                 -         Chemische analysemethoden of testmethoden, in subklasse G01N;

                                 -         Fotografische materialen en processen, in klasse G03; en algemeen

                                 -         De chemische behandeling van textiel en de productie van cellulose of papier, in Sectie D.

                        (d)      In nog andere gevallen valt het puur chemische aspect onder Sectie C, en het toegepaste chemische aspect in een andere Sectie, zoals A, B of F, bijv. het gebruik van een substantie of samenstelling voor:

                                 -         de behandeling van planten of dieren, valt onder subklasse A01N;

                                 -         voedingsmiddelen, vallen onder klasse A23;

                                 -         munitie of explosieven, vallen onder klasse F42.

                        (e)      Als de chemische en mechanische aspecten zo nauw met elkaar zijn verbonden dat een nette en eenvoudige splitsing niet mogelijk is, of als bepaalde mechanische processen een natuurlijk en logisch vervolg op een chemische behandeling vormen, kan onder Sectie C, in aanvulling op het chemische aspect, ook een gedeelte van het mechanische aspect vallen, bijv. nabehandeling van kunststeen, wat valt onder klasse C04.In dit laatste geval wordt gewoonlijk een aantekening of referentie gegeven om de positie te verduidelijken, zelfs als splitsing nogal arbitrair is.

 

METALLURGIE

 

C 30        KRISTALGROEI [3,11]

 

C 30 B    MONOKRISTALGROEI (door gebruik te maken van ultrahoge druk, bijv. voor het vormen van diamanten B01J 3/06); ALZIJDIG STOLLEN VAN EUTECTISCH MATERIAAL OF ALZIJDIG ONTMENGEN VAN EUTECTOÏDE MATERIAAL; RAFFINEREN VAN MATERIAAL DOOR ZONESMELTEN (zone-raffineren van metalen of legeringen C22B); PRODUCEREN VAN HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR (gieten van metalen, gieten van andere substanties door dezelfde processen of inrichtingen B22D; bewerken van kunststoffen B29; modificeren van de fysische structuur van metalen of legeringen C21D of C22F); MONOKRISTALLEN OF HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR; NABEHANDELEN VAN MONOKRISTALLEN OF EEN HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR (voor het produceren van halfgeleiders of delen daarvan H01L); APPARATUUR DAARVOOR [3]

 

              Aantekeningen

 

              (1)      In deze subklasse worden de volgende uitdrukkingen gebruikt met de aangegeven betekenis:

                        -        “monokristal” omvat tevens dubbelkristallen en een product van overheersend monokristallen; [3]

                        -        “homogeen polykristallijn materiaal” betekent een materiaal met kristaldeeltjes, die allemaal dezelfde chemische samenstelling hebben; [5]

                        -        “gedefinieerde structuur” betekent de structuur van een materiaal met korrels die zijn georiënteerd op een voorkeurswijze of die grotere dan normale afmetingen hebben. [5]

              (2)      In deze subklasse wordt geklasseerd op meerdere aspecten, zodat als het onderwerp wordt gekenmerkt door aspecten die vallen onder meer dan één van de groepen, het onderwerp moet worden geklasseerd in elk van deze groepen. [12]

              (3)      In deze subklasse wordt:

                        -        het bereiden van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met gedefinieerde structuur van specifieke materialen of vormen geklasseerd zowel in de groep voor de proces als in groep C30B 29/00; [3]

                        -        een speciaal aangepast apparaat voor een specifiek proces geklasseerd in de toepasselijke groep voor het proces. Voor meer dan één soort proces te gebruiken apparatuur wordt geklasseerd in groep C30B 35/00. [3]

 

Monokristalgroei uit vaste stoffen of gelen [3]

 

C 30 B      1/00                    Monokristalgroei direct vanuit vaste toestand (alzijdig ontmengen van eutectoïde materialen C30B 3/00; onder een beschermend fluïdum C30B 27/00) [3]

C 30 B      1/02                    .    door warmtebehandeling, bijv. temperen onder strekspanning (C30B 1/12 heeft voorrang) [3]

C 30 B      1/04                    .    .    Isothermisch rekristalliseren [3]

C 30 B      1/06                    .    .    Rekristalliseren onder invloed van een temperatuurverval [3]

C 30 B      1/08                    .    .    .    Zone-herkristalliseren [3]

C 30 B      1/10                    .    door vastestofreacties of meerfasediffusie [3]

C 30 B      1/12                    .    door drukbehandeling tijdens de groei [3]

 

C 30 B      3/00                    Alzijdig ontmengen van eutectoïde materialen [3]

 

C 30 B      5/00                    Monokristalgroei uit gelen (onder een beschermend fluïdum C30B 27/00) [3]

C 30 B      5/02                    .    onder toevoeging van dompelmateriaal [3]

 

Monokristalgroei uit vloeistoffen; Alzijdig stollen van eutectische materialen [3]

 

C 30 B      7/00                    Monokristalgroei uit oplossingen waarbij gebruik wordt gemaakt van oplosmiddelen die bij gewone temperatuur vloeibaar zijn, bijv. waterige oplossingen (uit gesmolten oplosmiddelen C30B 9/00; door gewoon bevriezen of bevriezen met een verval C30B 11/00; onder een beschermend fluïdum C30B 27/00) [3]

C 30 B      7/02                    .    door verdampen van het oplosmiddel [3]

C 30 B      7/04                    .    .    gebruikmakend van waterige oplosmiddelen [3]

C 30 B      7/06                    .    .    gebruikmakend van niet-waterige oplosmiddelen [3]

C 30 B      7/08                    .    door koelen van de oplossing [3]

C 30 B      7/10                    .    door toepassen van druk, bijv. hydrothermische processen [3]

C 30 B      7/12                    .    door elektrolyseren [3]

C 30 B      7/14                    .    waarbij de kristalliserende materialen worden gevormd door chemische reacties in de oplossing [3]

 

C 30 B      9/00                    Monokristalgroei uit smeltoplossingen waarbij gebruik wordt gemaakt van gesmolten oplosmiddelen (door gewoon bevriezen of bevriezen met een verval C30B 11/00; door zonesmelten C30B 13/00; door uit een smelt trekken C30B 15/00; op een ondergedompeld zaadkristal C30B 17/00; door epitaxiale aangroei vanuit een vloeibare fase C30B 19/00; onder een beschermend fluidum C30B 27/00) [3]

C 30 B      9/02                    .    door verdampen van het gesmolten oplosmiddel [3]

C 30 B      9/04                    .    door koelen van de oplossing [3]

C 30 B      9/06                    .    .    gebruikmakend van oplosmiddel als een component van de kristalsamenstelling [3]

C 30 B      9/08                    .    .    gebruikmakend van andere oplosmiddelen [3]

C 30 B      9/10                    .    .    .    Metaaloplosmiddelen [3]

C 30 B      9/12                    .    .    .    Zoutoplosmiddelen, bijv. bij smeltgroei [3]

C 30 B      9/14                    .    door elektrolyseren [3]

 

C 30 B    11/00                   Monokristalgroei door gewoon bevriezen of bevriezen met een temperatuurverval, bijv. de Bridgman-Stockbarge-methode (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00 en C30B 19/00 hebben voorrang; onder een beschermend fluïdum C30B 27/00) [3]

C 30 B    11/02                   .    zonder gebruik te maken van oplosmiddelen (C30B 11/06 heeft voorrang) [3]

C 30 B    11/04                   .    waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de smelt, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]

C 30 B    11/06                   .    .    waarbij tenminste één maar niet alle componenten van de kristalsamenstelling worden toegevoegd [3]

C 30 B    11/08                   .    .    waarbij elke component van de kristalsamenstelling wordt toegevoegd tijdens het kristalliseren [3]

C 30 B    11/10                   .    .    .    Vaste of vloeibare componenten, bijv. de Verneuil-methode [3]

C 30 B    11/12                   .    .    .    Dampvormige componenten, bijv. aangroei van damp naar vloeistof naar vaste stof [3]

C 30 B    11/14                   .    gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]

 

C 30 B    13/00                   Monokristalgroei door zonesmelten; Raffineren door zonesmelten (C30B 17/00 heeft voorrang; door veranderen van de doorsnede van de behandelde vaste stof C30B 15/00; onder een beschermend fluïdum C30B 27/00; voor de aangroei van homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur C30B 28/00; zie voor zone-raffineren van specifieke materialen de relevante subklassen voor de materialen) [3,5]

C 30 B    13/02                   .    Zonesmelten met een oplosmiddel, bijv. een proces waarbij het oplosmiddel zich verplaatst [3]

C 30 B    13/04                   .    Homogeniseren door zone-nivellering [3]

C 30 B    13/06                   .    waarbij de gesmolten zone zich niet over de gehele doorsnede uitstrekt [3]

C 30 B    13/08                   .    waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de gesmolten zone, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]

C 30 B    13/10                   .    .    onder toevoeging van dompelmaterialen [3]

C 30 B    13/12                   .    .    .    in gasvormige of dampvormige toestand [3]

C 30 B    13/14                   .    Smeltkroezen of smeltvaten [3]

C 30 B    13/16                   .    Verwarmen van de gesmolten zone [3]

C 30 B    13/18                   .    .    waarbij het verwarmingselement in contact staat met, of is ondergedompeld in, de gesmolten zone [3]

C 30 B    13/20                   .    .    door induceren, bijv. de verhittingsdraadtechniek (C30B 13/18 heeft voorrang) [3,10]

C 30 B    13/22                   .    .    door bestralen of elektrisch ontladen [3]

C 30 B    13/24                   .    .    .    gebruikmakend van elektromagnetische golven [3]

C 30 B    13/26                   .    Omroeren van de gesmolten zone [3]

C 30 B    13/28                   .    Regelen of besturen [3,10]

C 30 B    13/30                   .    .    Stabilisatie of vormcontrole van de gesmolten zone, bijv. door indampmiddelen of elektromagnetische velden; Regelen van het kristalsegment [3]

C 30 B    13/32                   .    Mechanismen voor het verplaatsen van hetzij de vulling hetzij de verwarmer [3]

C 30 B    13/34                   .    gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]

 

C 30 B    15/00                   Monokristalgroei door het uit een smelt trekken, bijv. de Czochralski-methode (onder een beschermend fluïdum C30B 27/00) [3]

C 30 B    15/02                   .    waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de smelt, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]

C 30 B    15/04                   .    .    onder toevoeging van dompelmaterialen, bijv. voor een PN-junctie [3]

C 30 B    15/06                   .    Niet-verticaal trekken [3]

C 30 B    15/08                   .    Neerwaarts trekken [3]

C 30 B    15/10                   .    Smeltkroezen of containers voor het ondersteunen van de smelt [3]

C 30 B    15/12                   .    .    Dubbele smeltkroesmethoden [3]

C 30 B    15/14                   .    Verwarmen van de smelt of de gekristalliseerde materialen [3]

C 30 B    15/16                   .    .    door bestralen of elektrisch ontladen [3]

C 30 B    15/18                   .    .    gebruikmakend van directe weerstandsverwarming naast andere verwarmingsmethoden, bijv. gebruikmakend van Peltier-warmte [3]

C 30 B    15/20                   .    Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]

C 30 B    15/22                   .    .    Stabilisatie of vormcontrole van de gesmolten zone in de nabijheid van het getrokken kristal; Regelen van het kristalsegment [3]

C 30 B    15/24                   .    .    .    gebruikmakend van mechanische middelen, bijv. vormgeleiders (vormstempels voor kristalgroei waarbij sprake is van een film met gedefinieerde randen die wordt toegevoerd C30B 15/34) [3]

C 30 B    15/26                   .    .    .    gebruikmakend van televisiedetectoren; gebruikmakend van fotodetectoren of röntgendetectoren [3]

C 30 B    15/28                   .    .    .    gebruikmakend van gewichtsveranderingen van het kristal of de smelt, bijv. flotatiemethoden [3]

C 30 B    15/30                   .    Mechanismen voor het roteren of verplaatsen van hetzij de smelt hetzij het kristal (flotatiemethoden C30B 15/28) [3]

C 30 B    15/32                   .    Zaadhouders, bijv. klembussen [3]

C 30 B    15/34                   .    Kristalgroei waarbij sprake is van een film met gedefinieerde randen die wordt toegevoerd, waarbij gebruik wordt gemaakt van stempels of gleuven [3]

C 30 B    15/36                   .    gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]

 

C 30 B    17/00                   Monokristalgroei op een zaad dat in de smelt blijft tijdens de aangroei, bijv. de Nacken-Kyropoulos-methode (C30B 15/00 heeft voorrang) [3]

 

C 30 B    19/00                   Epitaxiale laagaangroei vanuit een vloeibare fase [3]

C 30 B    19/02                   .    gebruikmakend van gesmolten oplosmiddelen, bijv. een flux [3]

C 30 B    19/04                   .    .    waarbij het oplosmiddel een component is van de kristalsamenstelling [3]

C 30 B    19/06                   .    Reactiekamers; Kroezen voor het ondersteunen van de smelt; Substraathouders [3]

C 30 B    19/08                   .    Verwarmen van de reactiekamer of het substraat [3]

C 30 B    19/10                   .    Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]

C 30 B    19/12                   .    gekenmerkt door het substraat [3]

 

C 30 B    21/00                   Alzijdig stollen van eutectische materialen [3]

C 30 B    21/02                   .    door gewoon gieten of bevriezen met een verval [3]

C 30 B    21/04                   .    door zonesmelten [3]

C 30 B    21/06                   .    door uit een smelt trekken [3]

 

Monokristalgroei uit dampen [3]

 

C 30 B    23/00                   Monokristalgroei door het laten condenseren van verdampte of gesublimeerde materialen [3]

C 30 B    23/02                   .    Epitaxiale laagaangroei [3]

C 30 B    23/04                   .    .    Patroonafzetting, bijv. door gebruik te maken van maskers [3]

C 30 B    23/06                   .    .    Verwarmen van de afzettingskamer, het substraat of de te verdampen materialen [3]

C 30 B    23/08                   .    .    door het condenseren van geïoniseerde dampen (door reactieve kathodeverstuiving C30B 25/06) [3]

 

C 30 B    25/00                   Monokristalgroei door een chemische reactie van reactieve gassen, bijv. aangroei door chemische dampafzetting [3]

C 30 B    25/02                   .    Epitaxiale laagaangroei [3]

C 30 B    25/04                   .    .    Patroonafzetting, bijv. door gebruik te maken van maskers [3]

C 30 B    25/06                   .    .    door reactieve kathodeverstuiving [3]

C 30 B    25/08                   .    .    Reactiekamers; Selectie van materialen daarvoor [3]

C 30 B    25/10                   .    .    Verwarmen van de reactiekamer of het substraat [3]

C 30 B    25/12                   .    .    Substraathouders of substraatkroezen [3]

C 30 B    25/14                   .    .    Toevoermiddelen en afvoermiddelen voor de gassen; Modificeren van de stroming van de reactieve gassen [3]

C 30 B    25/16                   .    .    Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]

C 30 B    25/18                   .    .    gekenmerkt door het substraat [3]

C 30 B    25/20                   .    .    .    waarbij het substraat uit dezelfde materialen bestaat als de epitaxiale laag [3]

C 30 B    25/22                   .    .    Sandwichprocessen [3]

 

C 30 B    27/00                   Monokristalgroei onder een beschermend fluïdum [3]

C 30 B    27/02                   .    door uit een smelt trekken [3]

 

C 30 B    28/00                   Produceren van homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur [5]

C 30 B    28/02                   .    direct uit vaste toestand [5]

C 30 B    28/04                   .    uit vloeistoffen [5]

C 30 B    28/06                   .    .    door gewoon bevriezen of bevriezen met een temperatuurverval [5]

C 30 B    28/08                   .    .    door zonesmelten [5]

C 30 B    28/10                   .    .    door uit een smelt trekken [5]

C 30 B    28/12                   .    direct uit de gastoestand [5]

C 30 B    28/14                   .    .    door een chemische reactie van reactieve gassen [5]

 

C 30 B    29/00                   Monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerd structuur, die worden gekenmerkt door het materiaal of door hun vorm [3,5,10]

 

              Aantekening

 

              (1)      In de groepen C30B 29/02 tot C30B 29/54 is de prioriteitsregel voor de laatste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt een materiaal geklasseerd in de laatste toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [3,8,10,15]

              (2)      De aandacht wordt gevestigd op Aantekening (3) volgend op de titel van Sectie C, waarin wordt gewezen op de versie van het Periodiek Systeem waaraan de IPC refereert. [10]

 

C 30 B    29/02                   .    Elementen [3]

C 30 B    29/04                   .    .    Diamant [3]

C 30 B    29/06                   .    .    Silicium [3]

C 30 B    29/08                   .    .    Germanium [3]

C 30 B    29/10                   .    Anorganische verbindingen of samenstellingen [3]

C 30 B    29/12                   .    .    Haliden [3]

C 30 B    29/14                   .    .    Fosfaten [3]

C 30 B    29/16                   .    .    Oxiden [3]

C 30 B    29/18                   .    .    .    Kwarts [3]

C 30 B    29/20                   .    .    .    Aluminiumoxiden [3]

C 30 B    29/22                   .    .    .    Complexe oxiden [3]

C 30 B    29/24                   .    .    .    .    met de formule AMeO3, waarin A een zeldzaam aardmetaal is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is, bijv. ortho-ferrieten [3]

C 30 B    29/26                   .    .    .    .    met de formule BMe2O4, waarin B magnesium, nikkel, kobalt, aluminium, zink of cadmium is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is [3]

C 30 B    29/28                   .    .    .    .    met de formule A3Me5O12, waarin A een zeldzaam aardmetaal is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is, bijv. granaten [3]

C 30 B    29/30                   .    .    .    .    Niobaten; Vanadaten; Tantalaten [3]

C 30 B    29/32                   .    .    .    .    Titanaten; Germanaten; Molybdaten; Wolframaten [3]

C 30 B    29/34                   .    .    Silicaten [3]

C 30 B    29/36                   .    .    Carbiden [3]

C 30 B    29/38                   .    .    Nitriden [3]

C 30 B    29/40                   .    .    AIIIBV verbindingen [3]

C 30 B    29/42                   .    .    .    Galliumarsenide [3]

C 30 B    29/44                   .    .    .    Galliumfosfide [3]

C 30 B    29/46                   .    .    Zwavelhoudende, seleenhoudende of telluurhoudende verbindingen [3]

C 30 B    29/48                   .    .    .    AIIBVI verbindingen [3]

C 30 B    29/50                   .    .    .    .    Cadmiumsulfide [3]

C 30 B    29/52                   .    .    Legeringen [3]

C 30 B    29/54                   .    Organische verbindingen [3]

C 30 B    29/56                   .    .    Tartraten [3]

C 30 B    29/58                   .    .    Macromoleculaire verbindingen [3]

C 30 B    29/60                   .    gekenmerkt door de vorm [3]

C 30 B    29/62                   .    .    Haren of naalden [3]

C 30 B    29/64                   .    .    Platte kristallen, bijv. platen, stroken of schijven [5]

C 30 B    29/66                   .    .    Kristallen met een complexe geometrische vorm, bijv. buizen of cilinders [5]

C 30 B    29/68                   .    .    Kristallen met een laminaatstructuur, bijv. superroosters [5]

 

C 30 B    30/00                   Produceren van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur, gekenmerkt door de werking onder elektrische of magnetische velden, golfenergie of andere specifieke fysische condities [5]

 

              Aantekening

 

              Bij het klasseren in deze groep wordt tevens geklasseerd in de groepen C30B 1/00 tot C30B 28/00, in overeenstemming met het kristalgroeiproces. [5]

 

C 30 B    30/02                   .    gebruikmakend van elektrische velden, bijv. elektrolyse [5]

C 30 B    30/04                   .    gebruikmakend van magnetische velden [5]

C 30 B    30/06                   .    gebruikmakend van mechanische trillingen [5]

C 30 B    30/08                   .    onder gewichtloosheid of geringe zwaartekracht [5]

 

Nabehandelen van monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met gedefinieerde structuur [3,5]

 

C 30 B    31/00                   Diffusieprocessen of dompelprocessen voor monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur; Apparatuur daarvoor [3,5]

C 30 B    31/02                   .    door contact met diffusiematerialen in vaste toestand [3]

C 30 B    31/04                   .    door contact met diffusiematerialen in vloeibare toestand [3]

C 30 B    31/06                   .    door contact met diffusiemateriaal in gasvormige toestand (C30B 31/18 heeft voorrang) [3]

C 30 B    31/08                   .    .    waarbij het diffusiemateriaal een verbinding is van de te diffunderen elementen [3]

C 30 B    31/10                   .    .    Reactiekamers; Selectie van materialen daarvoor [3]

C 30 B    31/12                   .    .    Verwarmen van de reactiekamer [3]

C 30 B    31/14                   .    .    Substraathouders of substraatkroezen [3]

C 30 B    31/16                   .    .    Toevoermiddelen en afvoermiddelen voor de gassen; Modificeren van de stroming van de gassen [3]

C 30 B    31/18                   .    .    Regelen of besturen [3,10]

C 30 B    31/20                   .    Dompelen door bestraling met elektromagnetische golven of door deeltjesstraling [3]

C 30 B    31/22                   .    .    door ionenimplantatie [3]

 

C 30 B    33/00                   Nabehandelen van monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur (C30B 31/00 heeft voorrang) [3,5,10]

C 30 B    33/02                   .    Warmtebehandeling (C30B 33/04 en C30B 33/06 hebben voorrang) [5]

C 30 B    33/04                   .    gebruikmakend van elektrische of magnetische velden, of van deeltjesstraling [5]

C 30 B    33/06                   .    Samenvoegen van kristallen [5]

C 30 B    33/08                   .    Etsen [5]

C 30 B    33/10                   .    .    in oplossingen of smelten [5]

C 30 B    33/12                   .    .    in een gasatmosfeer of plasma [5]

 

C 30 B    35/00                   Niet elders ondergebrachte speciaal aangepaste apparatuur voor de groei, productie of nabehandeling van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur [3,5,12]