(door gebruik te maken van ultrahoge druk, bijv. voor het vormen van diamanten B01J 3\5); ALZIJDIG STOLLEN VAN EUTECTISCH MATERIAAL OF ALZIJDIG ONTMENGEN VAN EUTECTOÏDE MATERIAAL; RAFFINEREN VAN MATERIAAL DOOR ZONESMELTEN (zone-raffineren van metalen of legeringen C22B); PRODUCEREN VAN HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR (gieten van metalen, gieten van andere substanties door dezelfde processen of inrichtingen B22D; bewerken van kunststoffen B29; modificeren van de fysische structuur van metalen of legeringen C21D of C22F); MONOKRISTALLEN OF HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR; NABEHANDELEN VAN MONOKRISTALLEN OF EEN HOMOGEEN POLYKRISTALLIJN MATERIAAL MET EEN GEDEFINIEERDE STRUCTUUR (voor het produceren van halfgeleiders of delen daarvan H01L); APPARATUUR DAARVOOR [3]
Aantekeningen
(1) In deze subklasse worden de volgende uitdrukkingen gebruikt met de aangegeven betekenis: - “monokristal” omvat tevens dubbelkristallen en een product van overheersend monokristallen; [3] - “homogeen polykristallijn materiaal” betekent een materiaal met kristaldeeltjes, die allemaal dezelfde chemische samenstelling hebben; [5] - “gedefinieerde structuur” betekent de structuur van een materiaal met korrels die zijn georiënteerd op een voorkeurswijze of die grotere dan normale afmetingen hebben. [5] (2) In deze subklasse wordt geklasseerd op meerdere aspecten, zodat als het onderwerp wordt gekenmerkt door aspecten die vallen onder meer dan één van de groepen, het onderwerp moet worden geklasseerd in elk van deze groepen. [12] (3) In deze subklasse wordt: - het bereiden van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met gedefinieerde structuur van specifieke materialen of vormen geklasseerd zowel in de groep voor de proces als in groep C30B 29\5; [3] - een speciaal aangepast apparaat voor een specifiek proces geklasseerd in de toepasselijke groep voor het proces. Voor meer dan één soort proces te gebruiken apparatuur wordt geklasseerd in groep C30B 35\5. [3]
C30B 1/00
Monokristalgroei direct vanuit vaste toestand (alzijdig ontmengen van eutectoïde materialen C30B 3\5; onder een beschermend fluïdum C30B 27\5) [3]
C30B 1/02
door warmtebehandeling, bijv. temperen onder strekspanning C30B 1\5 heeft voorrang) [3]
C30B 1/04
Isothermisch rekristalliseren [3]
C30B 1/06
Rekristalliseren onder invloed van een temperatuurverval [3]
C30B 1/08
Zone-herkristalliseren [3]
C30B 1/10
door vastestofreacties of meerfasediffusie [3]
C30B 1/12
door drukbehandeling tijdens de groei [3]
C30B 3/00
Alzijdig ontmengen van eutectoïde materialen [3]
C30B 5/00
Monokristalgroei uit gelen (onder een beschermend fluïdum C30B 27\5) [3]
C30B 5/02
onder toevoeging van dompelmateriaal [3]
C30B 7/00
Monokristalgroei uit oplossingen waarbij gebruik wordt gemaakt van oplosmiddelen die bij gewone temperatuur vloeibaar zijn, bijv. waterige oplossingen (uit gesmolten oplosmiddelen C30B 9\5; door gewoon bevriezen of bevriezen met een verval C30B 11\5; onder een beschermend fluïdum C30B 27\5) [3]
C30B 7/02
door verdampen van het oplosmiddel [3]
C30B 7/04
gebruikmakend van waterige oplosmiddelen [3]
C30B 7/06
gebruikmakend van niet-waterige oplosmiddelen [3]
C30B 7/08
door koelen van de oplossing [3]
C30B 7/10
door toepassen van druk, bijv. hydrothermische processen [3]
C30B 7/12
door elektrolyseren [3]
C30B 7/14
waarbij de kristalliserende materialen worden gevormd door chemische reacties in de oplossing [3]
C30B 9/00
Monokristalgroei uit smeltoplossingen waarbij gebruik wordt gemaakt van gesmolten oplosmiddelen (door gewoon bevriezen of bevriezen met een verval C30B 11\5; door zonesmelten C30B 13\5; door uit een smelt trekken C30B 15\5; op een ondergedompeld zaadkristal C30B 17\5; door epitaxiale aangroei vanuit een vloeibare fase C30B 19\5; onder een beschermend fluidum C30B 27\5) [3]
C30B 9/02
door verdampen van het gesmolten oplosmiddel [3]
C30B 9/04
door koelen van de oplossing [3]
C30B 9/06
gebruikmakend van oplosmiddel als een component van de kristalsamenstelling [3]
C30B 9/08
gebruikmakend van andere oplosmiddelen [3]
C30B 9/10
Metaaloplosmiddelen [3]
C30B 9/12
Zoutoplosmiddelen, bijv. bij smeltgroei [3]
C30B 9/14
door elektrolyseren [3]
C30B 11/00
Monokristalgroei door gewoon bevriezen of bevriezen met een temperatuurverval, bijv. de Bridgman-Stockbarge-methode C30B 13\5, C30B 15\5, C30B 17\5 en C30B 19\5 hebben voorrang; onder een beschermend fluïdum C30B 27\5) [3]
C30B 11/02
zonder gebruik te maken van oplosmiddelen C30B 11\5 heeft voorrang) [3]
C30B 11/04
waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de smelt, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]
C30B 11/06
waarbij tenminste één maar niet alle componenten van de kristalsamenstelling worden toegevoegd [3]
C30B 11/08
waarbij elke component van de kristalsamenstelling wordt toegevoegd tijdens het kristalliseren [3]
C30B 11/10
Vaste of vloeibare componenten, bijv. de Verneuil-methode [3]
C30B 11/12
Dampvormige componenten, bijv. aangroei van damp naar vloeistof naar vaste stof [3]
C30B 11/14
gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]
C30B 13/00
Monokristalgroei door zonesmelten; Raffineren door zonesmelten C30B 17\5 heeft voorrang; door veranderen van de doorsnede van de behandelde vaste stof C30B 15\5; onder een beschermend fluïdum C30B 27\5; voor de aangroei van homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur C30B 28\5; zie voor zone-raffineren van specifieke materialen de relevante subklassen voor de materialen) [3,5]
C30B 13/02
Zonesmelten met een oplosmiddel, bijv. een proces waarbij het oplosmiddel zich verplaatst [3]
C30B 13/04
Homogeniseren door zone-nivellering [3]
C30B 13/06
waarbij de gesmolten zone zich niet over de gehele doorsnede uitstrekt [3]
C30B 13/08
waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de gesmolten zone, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]
C30B 13/10
onder toevoeging van dompelmaterialen [3]
C30B 13/12
in gasvormige of dampvormige toestand [3]
C30B 13/14
Smeltkroezen of smeltvaten [3]
C30B 13/16
Verwarmen van de gesmolten zone [3]
C30B 13/18
waarbij het verwarmingselement in contact staat met, of is ondergedompeld in, de gesmolten zone [3]
C30B 13/20
door induceren, bijv. de verhittingsdraadtechniek C30B 13\5 heeft voorrang) [3,10]
C30B 13/22
door bestralen of elektrisch ontladen [3]
C30B 13/24
gebruikmakend van elektromagnetische golven [3]
C30B 13/26
Omroeren van de gesmolten zone [3]
C30B 13/28
Regelen of besturen [3,10]
C30B 13/30
Stabilisatie of vormcontrole van de gesmolten zone, bijv. door indampmiddelen of elektromagnetische velden; Regelen van het kristalsegment [3]
C30B 13/32
Mechanismen voor het verplaatsen van hetzij de vulling hetzij de verwarmer [3]
C30B 13/34
gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]
C30B 15/00
Monokristalgroei door het uit een smelt trekken, bijv. de Czochralski-methode (onder een beschermend fluïdum C30B 27\5) [3]
C30B 15/02
waarbij kristallisatiematerialen worden toegevoegd aan de smelt, of reactiemiddelen die dat ter plaatse vormen [3]
C30B 15/04
onder toevoeging van dompelmaterialen, bijv. voor een PN-junctie [3]
C30B 15/06
Niet-verticaal trekken [3]
C30B 15/08
Neerwaarts trekken [3]
C30B 15/10
Smeltkroezen of containers voor het ondersteunen van de smelt [3]
C30B 15/12
Dubbele smeltkroesmethoden [3]
C30B 15/14
Verwarmen van de smelt of de gekristalliseerde materialen [3]
C30B 15/16
door bestralen of elektrisch ontladen [3]
C30B 15/18
gebruikmakend van directe weerstandsverwarming naast andere verwarmingsmethoden, bijv. gebruikmakend van Peltier-warmte [3]
C30B 15/20
Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]
C30B 15/22
Stabilisatie of vormcontrole van de gesmolten zone in de nabijheid van het getrokken kristal; Regelen van het kristalsegment [3]
C30B 15/24
gebruikmakend van mechanische middelen, bijv. vormgeleiders (vormstempels voor kristalgroei waarbij sprake is van een film met gedefinieerde randen die wordt toegevoerd C30B 15\5) [3]
C30B 15/26
gebruikmakend van televisiedetectoren; gebruikmakend van fotodetectoren of röntgendetectoren [3]
C30B 15/28
gebruikmakend van gewichtsveranderingen van het kristal of de smelt, bijv. flotatiemethoden [3]
C30B 15/30
Mechanismen voor het roteren of verplaatsen van hetzij de smelt hetzij het kristal (flotatiemethoden C30B 15\5) [3]
C30B 15/32
Zaadhouders, bijv. klembussen [3]
C30B 15/34
Kristalgroei waarbij sprake is van een film met gedefinieerde randen die wordt toegevoerd, waarbij gebruik wordt gemaakt van stempels of gleuven [3]
C30B 15/36
gekenmerkt door het zaad, bijv. de kristallografische oriëntatie daarvan [3]
C30B 17/00
Monokristalgroei op een zaad dat in de smelt blijft tijdens de aangroei, bijv. de Nacken-Kyropoulos-methode C30B 15\5 heeft voorrang) [3]
C30B 19/00
Epitaxiale laagaangroei vanuit een vloeibare fase [3]
C30B 19/02
gebruikmakend van gesmolten oplosmiddelen, bijv. een flux [3]
C30B 19/04
waarbij het oplosmiddel een component is van de kristalsamenstelling [3]
C30B 19/06
Reactiekamers; Kroezen voor het ondersteunen van de smelt; Substraathouders [3]
C30B 19/08
Verwarmen van de reactiekamer of het substraat [3]
C30B 19/10
Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]
C30B 19/12
gekenmerkt door het substraat [3]
C30B 21/00
Alzijdig stollen van eutectische materialen [3]
C30B 21/02
door gewoon gieten of bevriezen met een verval [3]
C30B 21/04
door zonesmelten [3]
C30B 21/06
door uit een smelt trekken [3]
C30B 23/00
Monokristalgroei door het laten condenseren van verdampte of gesublimeerde materialen [3]
C30B 23/02
Epitaxiale laagaangroei [3]
C30B 23/04
Patroonafzetting, bijv. door gebruik te maken van maskers [3]
C30B 23/06
Verwarmen van de afzettingskamer, het substraat of de te verdampen materialen [3]
C30B 23/08
door het condenseren van geïoniseerde dampen (door reactieve kathodeverstuiving C30B 25\5) [3]
C30B 25/00
Monokristalgroei door een chemische reactie van reactieve gassen, bijv. aangroei door chemische dampafzetting [3]
C30B 25/02
Epitaxiale laagaangroei [3]
C30B 25/04
Patroonafzetting, bijv. door gebruik te maken van maskers [3]
C30B 25/06
door reactieve kathodeverstuiving [3]
C30B 25/08
Reactiekamers; Selectie van materialen daarvoor [3]
C30B 25/10
Verwarmen van de reactiekamer of het substraat [3]
C30B 25/12
Substraathouders of substraatkroezen [3]
C30B 25/14
Toevoermiddelen en afvoermiddelen voor de gassen; Modificeren van de stroming van de reactieve gassen [3]
C30B 25/16
Regelen (regelen in het algemeen G05) [3]
C30B 25/18
gekenmerkt door het substraat [3]
C30B 25/20
waarbij het substraat uit dezelfde materialen bestaat als de epitaxiale laag [3]
C30B 25/22
Sandwichprocessen [3]
C30B 27/00
Monokristalgroei onder een beschermend fluïdum [3]
C30B 27/02
door uit een smelt trekken [3]
C30B 28/00
Produceren van homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur [5]
C30B 28/02
direct uit vaste toestand [5]
C30B 28/04
uit vloeistoffen [5]
C30B 28/06
door gewoon bevriezen of bevriezen met een temperatuurverval [5]
C30B 28/08
door zonesmelten [5]
C30B 28/10
door uit een smelt trekken [5]
C30B 28/12
direct uit de gastoestand [5]
C30B 28/14
door een chemische reactie van reactieve gassen [5]
C30B 29/00
Monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerd structuur, die worden gekenmerkt door het materiaal of door hun vorm [3,5,10]
Aantekening
(1) In de groepen C30B 29\5 tot C30B 29\5 is de prioriteitsregel voor de laatste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt een materiaal geklasseerd in de laatste toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [3,8,10,15] (2) De aandacht wordt gevestigd op Aantekening (3) volgend op de titel van Sectie C, waarin wordt gewezen op de versie van het Periodiek Systeem waaraan de IPC refereert. [10]
C30B 29/02
Elementen [3]
C30B 29/04
Diamant [3]
C30B 29/06
Silicium [3]
C30B 29/08
Germanium [3]
C30B 29/10
Anorganische verbindingen of samenstellingen [3]
C30B 29/12
Haliden [3]
C30B 29/14
Fosfaten [3]
C30B 29/16
Oxiden [3]
C30B 29/18
Kwarts [3]
C30B 29/20
Aluminiumoxiden [3]
C30B 29/22
Complexe oxiden [3]
C30B 29/24
met de formule AMeO3, waarin A een zeldzaam aardmetaal is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is, bijv. ortho-ferrieten [3]
C30B 29/26
met de formule BMe2O4, waarin B magnesium, nikkel, kobalt, aluminium, zink of cadmium is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is [3]
C30B 29/28
met de formule A3Me O12, waarin A een zeldzaam aardmetaal is en Me ijzer, gallium, Sc, chroom, kobalt of aluminium is, bijv. granaten [3]
C30B 29/30
Niobaten; Vanadaten; Tantalaten [3]
C30B 29/32
Titanaten; Germanaten; Molybdaten; Wolframaten [3]
C30B 29/34
Silicaten [3]
C30B 29/36
Carbiden [3]
C30B 29/38
Nitriden [3]
C30B 29/40
AIIIBV verbindingen [3]
C30B 29/42
Galliumarsenide [3]
C30B 29/44
Galliumfosfide [3]
C30B 29/46
Zwavelhoudende, seleenhoudende of telluurhoudende verbindingen [3]
C30B 29/48
AIIBVI verbindingen [3]
C30B 29/50
Cadmiumsulfide [3]
C30B 29/52
Legeringen [3]
C30B 29/54
Organische verbindingen [3]
C30B 29/56
Tartraten [3]
C30B 29/58
Macromoleculaire verbindingen [3]
C30B 29/60
gekenmerkt door de vorm [3]
C30B 29/62
Haren of naalden [3]
C30B 29/64
Platte kristallen, bijv. platen, stroken of schijven [5]
C30B 29/66
Kristallen met een complexe geometrische vorm, bijv. buizen of cilinders [5]
C30B 29/68
Kristallen met een laminaatstructuur, bijv. superroosters [5]
C30B 30/00
Produceren van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur, gekenmerkt door de werking onder elektrische of magnetische velden, golfenergie of andere specifieke fysische condities [5]
Aantekening
Bij het klasseren in deze groep wordt tevens geklasseerd in de groepen C30B 1\5 tot C30B 28\5, in overeenstemming met het kristalgroeiproces. [5]
C30B 30/02
gebruikmakend van elektrische velden, bijv. elektrolyse [5]
C30B 30/04
gebruikmakend van magnetische velden [5]
C30B 30/06
gebruikmakend van mechanische trillingen [5]
C30B 30/08
onder gewichtloosheid of geringe zwaartekracht [5]
C30B 31/00
Diffusieprocessen of dompelprocessen voor monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur; Apparatuur daarvoor [3,5]
C30B 31/02
door contact met diffusiematerialen in vaste toestand [3]
C30B 31/04
door contact met diffusiematerialen in vloeibare toestand [3]
C30B 31/06
door contact met diffusiemateriaal in gasvormige toestand C30B 31\5 heeft voorrang) [3]
C30B 31/08
waarbij het diffusiemateriaal een verbinding is van de te diffunderen elementen [3]
C30B 31/10
Reactiekamers; Selectie van materialen daarvoor [3]
C30B 31/12
Verwarmen van de reactiekamer [3]
C30B 31/14
Substraathouders of substraatkroezen [3]
C30B 31/16
Toevoermiddelen en afvoermiddelen voor de gassen; Modificeren van de stroming van de gassen [3]
C30B 31/18
Regelen of besturen [3,10]
C30B 31/20
Dompelen door bestraling met elektromagnetische golven of door deeltjesstraling [3]
C30B 31/22
door ionenimplantatie [3]
C30B 33/00
Nabehandelen van monokristallen of homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur C30B 31\5 heeft voorrang) [3,5,10]
C30B 33/04
gebruikmakend van elektrische of magnetische velden, of van deeltjesstraling [5]
C30B 33/06
Samenvoegen van kristallen [5]
C30B 33/08
Etsen [5]
C30B 33/10
in oplossingen of smelten [5]
C30B 33/12
in een gasatmosfeer of plasma [5]
C30B 35/00
Niet elders ondergebrachte speciaal aangepaste apparatuur voor de groei, productie of nabehandeling van monokristallen of een homogeen polykristallijn materiaal met een gedefinieerde structuur [3,5,12]