(gebruik van halfgeleiderinrichtingen voor meting G01; weerstanden in het algemeen H01C; magneten, inductieklossen, transformatoren H01F; condensatoren in het algemeen H01G; elektrolytische inrichtingen H01G 9\5; batterijen, accumulatoren H01M; golfgeleiders, resonatoren of leidingen die werken als golfgeleider H01P; verbindingsklemmen voor leidingen, stroomcollectoren H01R; inrichtingen met gestimuleerde emissie H01S; elektromechanische resonatoren H03H; luidsprekers, microfoons, platenspelers of soortgelijke akoestische elektromechanische transducers H04R; elektrische lichtbronnen in het algemeen H05B; gedrukte circuits, hybride circuits, omhulsels of constructieve details van elektrische apparatuur, maken van stelsels van elektrische componenten H05K; zie voor het gebruik van halfgeleiderinrichtingen in circuits met een specifieke toepassing de subklasse voor de toepassing) [2,10]
Aantekeningen
(1) Deze subklasse dekt: - niet onder een andere subklasse vallende elektrische halfgeleiderapparatuur en details daarvan, en omvat aangepaste halfgeleiderinrichtingen voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, halfgeleiderinrichtingen die gevoelig zijn voor straling; elektrische halfgeleiderapparatuur waarbij gebruik wordt gemaakt van thermo-elektrische, supergeleidende, piëzo-elektrische, elektrostrictieve, magnetostrictieve, galvanomagnetische of massa-negatieve weerstandseffecten en inrichtingen met een geïntegreerd circuit; [2] - fotoweerstanden, van een magnetisch veld afhankelijke weerstanden, veldweerstanden, condensatoren met een potentiaalsprongbarrière, weerstanden met een potentiaalsprongbarrière of een oppervlaktebarrière, incoherente licht-uitstralende dioden en circuits in de vorm van een dunne of dikke film; [2] - aangepaste processen en apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen, behalve waar dergelijke processen betrekking hebben op enkeltrapsprocessen waarin elders is voorzien. [2] (2) In deze subklasse worden de volgende termen of uitdrukkingen gebruikt met de aangegeven betekenissen: - “wafer” betekent een schijf van een halfgeleidermateriaal of van een kristallijn substraatmateriaal, die kan worden gemodificeerd door diffusie van verontreinigingen (doping), ionenimplantatie of laagsgewijze opbouw, en waarvan het actieve oppervlak kan worden verwerkt tot reeksen van op zich staande componenten of geïntegreerde schakelingen; [8] - “halfgeleiderlichaam” betekent het materiaallichaam waarin, of op de oppervlakte waarvan, de fysische effectenkarakteristiek van de inrichting plaatsvindt. In thermo-elektrische inrichtingen omvat het alle materialen in het stroom-pad. Gebieden in of op het lichaam van de inrichting (anders dan het halfgeleiderlichaam zelf) die een elektrische invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam, worden beschouwd als “elektroden”, ongeacht of er nu wel of niet een elektrische verbinding van buitenaf mee wordt gemaakt. Een elektrode kan diverse gedeelten omvatten, en de term omvat tevens metaalachtige gedeelten die invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam via een isolatiegebied (bijv. een capacitieve koppeling) en inductieve koppelvoorzieningen naar het lichaam. Het diëlectrische gebied in een capacitieve opstelling wordt gezien als deel van de elektrode. In voorzieningen met meerdere gedeelten worden slechts die gedeelten die op grond van hun vorm, grootte of plaatsing of het materiaal waaruit zij worden gevormd invloed uitoefenen op het halfgeleiderlichaam, beschouwd als deel van de elektrode. De andere delen worden beschouwd als “voorzieningen voor het geleiden van een elektrische stroom naar of van het halfgeleiderlichaam” of als “onderlinge verbindingen tussen halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat”, d.w.z. leidingen; [2] - “inrichting” betekent een elektrisch circuitelement; als een elektrisch circuitelement deel uitmaakt van meerdere elementen die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, wordt gesproken over een “component”; [2] - “volledige inrichting” is een inrichting in volledig opgebouwde staat waarbij wel of geen verdere behandeling, bijv. elektroformeren, en tevens geen toevoeging van verdere structurele eenheden nodig is voor het gebruiksklaar maken; [2] - “delen” omvat alle structurele eenheden die deel uitmaken van een volledige inrichting; [2] - “container” is een omhulsel dat deel uitmaakt van de volledige inrichting en de vorm heeft van een vaste constructie waarin het lichaam van de inrichting is aangebracht, of dat wordt gevormd rondom het lichaam zonder het vormen van een innige laag daarop. Een omhulsel dat bestaat uit één of meer lagen op het lichaam en in innig contact daarmee, wordt een “inkapseling” genoemd; [2] - “geïntegreerd circuit” is een inrichting waarbij alle componenten, bijv. dioden of weerstanden, op een gemeenschappelijk substraat zijn opgebouwd en de inrichting vormen inclusief onderlinge verbindingen tussen de componenten; [2] - “samenstellen” van een inrichting is het opbouwen van de inrichting uit de constructieve componenteenheden en omvat het aanbrengen van vullingen in containers. [2] (3) In deze subklasse worden zowel de proces of de apparatuur voor het maken of behandelen van een inrichting als de inrichting zelf geklasseerd, steeds als deze beide voldoende zijn beschreven om van belang te zijn. [6] (4) De aandacht wordt gevestigd op Aantekening (3) volgend op de titel van Sectie C, waarin wordt gewezen op de versie van het Periodiek Systeem waaraan de IPC refereert. [10]
H01L 21/00
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of halfgeleiderapparatuur of van delen daarvan [2,8,9]
Aantekening
De groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5 hebben voorrang boven de groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5. [2,8]
H01L 21/02
Maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of delen daarvan [2,8]
H01L 21/027
Maken van maskers op halfgeleiderlichamen voor verdere foto-lithografische verwerking, die niet vallen onder de groepen H01L 21\5 of H01L 21\5 [5]
H01L 21/033
met anorganische lagen [5]
H01L 21/04
waarbij de inrichtingen tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière hebben, bijv. een PN-junctie, verarmde laag of laag met een dragerconcentratie [2]
H01L 21/06
waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die seleen of telluur bevatten in een andere niet- chemisch gebonden vorm dan als verontreinigingen in halfgeleiderlichamen van andere materialen [2]
H01L 21/08
Voorbereiden van de grondplaat [2]
H01L 21/10
Voorbehandelen van het seleen of telluur, aanbrengen ervan op de grondplaat of vervolgens behandelen van de combinatie [2]
H01L 21/103
Omzetten van het seleen of telluur naar de geleidende staat [2]
H01L 21/105
Behandelen van het oppervlak van de seleen-laag of telluur-laag na het geleidend maken daarvan [2]
H01L 21/108
Voorziening van gescheiden isolatielagen, d.w.z. niet-genetische barrièrelagen [2]
H01L 21/12
Aanbrengen van een elektrode op het belichte oppervlak van het seleen of telluur na het aanbrengen van het seleen of telluur op de grondplaat [2]
H01L 21/14
Behandelen van de volledige inrichting, bijv. door het vormen van een barrière door elektroformeren [2]
H01L 21/145
Verouderen [2]
H01L 21/16
waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die koperoxide of koperjodide bevatten [2]
H01L 21/18
waarbij de inrichtingen halfgeleiderlichamen hebben die elementen uit de vierde groep van het Periodiek Systeem of AIIIBV verbindingen met of zonder verontreinigingen bevatten, bijv. doping materialen [2,6,7]
Aantekening
Onder deze groep vallen tevens processen en apparatuur die , door gebruik te maken van de toepasselijke technologie, duidelijk geschikt zijn voor het maken of behandelen van inrichtingen waarvan de lichamen elementen bevatten uit de vierde groep van het Periodiek Systeem of AIIIBV verbindingen, zelfs als het gebruikte materiaal niet expliciet wordt omschreven. [7]
H01L 21/20
Afzetten van halfgeleidermaterialen op een substraat, bijv. epitaxiale groei [2]
H01L 21/203
gebruikmakend van fysische afzetting, bijv. vacuümafzetting of kathodeverstuiving [2]
H01L 21/205
gebruikmakend van het reduceren of ontleden van een gasvormige verbinding die neigt tot een vast condensaat, d.w.z. door chemische afzetting [2]
H01L 21/208
gebruikmakend van vloeistofafzetting [2]
H01L 21/22
Diffunderen van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, in of uit een halfgeleiderlichaam of tussen halfgeleidergebieden; Herverdelen van verontreinigingsmaterialen, bijv. zonder inbrengen of verwijderen van verdere dopant [2]
H01L 21/223
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een gasvormige fase [2]
H01L 21/225
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vaste fase, bijv. een doped oxidelaag [2]
H01L 21/228
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vloeibare fase, bijv. een legering-diffusieproces [2]
H01L 21/24
Legeren van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, met een halfgeleiderlichaam [2]
H01L 21/26
Bombarderen met golfstraling of deeltjesstraling [2,9]
H01L 21/261
voor het produceren van een kernreactie waarbij chemische elementen wordt getransmuteerd [6]
H01L 21/263
met hoogenergetische straling H01L 21\5 heeft voorrang) [2,6]
H01L 21/265
waarbij ionenimplantatie wordt geproduceerd [2,9]
H01L 21/266
gebruikmakend van maskers [5]
H01L 21/268
gebruikmakend van elektromagnetische straling, bijv. laserstraling [2]
H01L 21/28
Maken van elektroden op halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5 [2]
H01L 21/283
Afzetten van geleidingsmaterialen of isolatiematerialen voor elektroden [2]
H01L 21/285
uit een gas of damp, bijv. condensatie [2]
H01L 21/288
uit een vloeistof, bijv. elektrolytische afzetting [2]
H01L 21/30
Behandelen van halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5 (maken van elektroden daarop H01L 21\5) [2]
H01L 21/301
voor het onderverdelen van een halfgeleiderlichaam in afzonderlijke delen, bijv. het maken van afscheidingen (snijden H01L 21\5) [6]
H01L 21/302
voor het veranderen van de fysische karakteristieken van hun oppervlakken, of voor het veranderen van hun vorm, bijv. etsen, polijsten of snijden [2]
H01L 21/304
Mechanisch behandelen, bijv. slijpen, polijsten of snijden [2]
H01L 21/306
Chemisch of elektrisch behandelen, bijv. elektrolytisch etsen (voor het vormen van isolatielagen H01L 21\5; nabehandelen van isolatielagen H01L 21\5) [2]
H01L 21/3063
Elektrolytisch etsen [6]
H01L 21/3065
Plasma-etsen; Etsen met reactieve ionen [6]
H01L 21/31
voor het vormen van isolatielagen daarop, bijv. voor maskering of door gebruik te maken van foto-lithografische technieken (inkapselende lagen H01L 21\5); Nabehandelen van deze lagen; Selectie van materialen voor deze lagen [2,5,9]
H01L 21/3105
Nabehandelen [5]
H01L 21/311
Etsen van de isolatielagen [5]
H01L 21/3115
Doping van de isolatielagen [5]
H01L 21/316
opgebouwd uit oxiden, glasachtige oxiden of op oxide gebaseerd glas [2]
H01L 21/318
opgebouwd uit nitriden [2]
H01L 21/32
gebruikmakend van maskers [2,5]
H01L 21/3205
Afzetten van niet-isolerende lagen, bijv. geleidingslagen of weerstandslagen, op isolatielagen; Nabehandelen van deze lagen (maken van elektroden H01L 21\5) [5,9]
H01L 21/321
Nabehandelen [5]
H01L 21/3213
Fysisch of chemisch etsen van de lagen, bijv. voor het produceren van een patroon-laag uit een eerder afgezette uitgestrekte laag [6]
H01L 21/3215
Doping van de lagen [5]
H01L 21/322
voor het modificeren van hun inwendige eigenschappen, bijv. voor het produceren van inwendige gebreken [2]
H01L 21/328
Meertrapsprocessen voor het maken van bipolaire inrichtingen, bijv. dioden, transistors of thyristors [5]
H01L 21/329
waarbij de inrichtingen één of twee elektroden bevatten, bijv. dioden [5]
H01L 21/33
waarbij de inrichtingen drie of meer elektroden bevatten [5]
H01L 21/331
Transistors [5]
H01L 21/332
Thyristors [5]
H01L 21/334
Meertrapsprocessen voor het maken van unipolaire inrichtingen [5]
H01L 21/335
Veldtransistoren [5]
H01L 21/336
met een geïsoleerde poort [5]
H01L 21/337
met een PN-junctiepoort [5]
H01L 21/338
met een Schottky-poort [5]
H01L 21/339
Inrichtingen voor het overdragen van lading [5,6]
H01L 21/36
Afzetten van halfgeleidermaterialen op een substraat, bijv. epitaxiale groei [2]
H01L 21/363
gebruikmakend van fysische afzetting, bijv. vacuümafzetting of kathodeverstuiving [2]
H01L 21/365
gebruikmakend van het reduceren of ontleden van een gasvormige verbinding die neigt tot een vast condensaat, d.w.z. chemische afzetting [2]
H01L 21/368
gebruikmakend van vloeistofafzetting [2]
H01L 21/38
Diffunderen van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, in of uit een halfgeleiderlichaam of tussen halfgeleidergebieden [2]
H01L 21/383
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een gasvormige fase [2]
H01L 21/385
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vaste fase, bijv. een doped oxidelaag [2]
H01L 21/388
gebruikmakend van diffusie in of uit een vaste stof van of naar een vloeibare fase, bijv. een legering- diffusieproces [2]
H01L 21/40
Legeren van verontreinigingsmaterialen, bijv. doping materialen of elektrodematerialen, met een halfgeleiderlichaam [2]
H01L 21/42
Bombarderen met straling [2]
H01L 21/423
met hoogenergetische straling [2]
H01L 21/425
waarbij ionenimplantatie wordt geproduceerd [2,9]
H01L 21/426
gebruikmakend van maskers [5]
H01L 21/428
gebruikmakend van elektromagnetische straling, bijv. laserstraling [2]
H01L 21/44
Maken van elektroden op halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5 [2]
H01L 21/441
Afzetten van geleidingsmaterialen of isolatiematerialen voor elektroden [2]
H01L 21/443
uit een gas of damp, bijv. condensatie [2]
H01L 21/445
uit een vloeistof, bijv. elektrolytische afzetting [2]
H01L 21/447
waarbij sprake is van het uitoefenen van druk, bijv. verlijmen onder invloed van warmte en druk H01L 21\5 heeft voorrang) [2]
H01L 21/449
waarbij sprake is van het uitoefenen van mechanische trillingen, bijv. ultrasoontrillingen [2]
H01L 21/46
Behandelen van halfgeleiderlichamen waarbij gebruik wordt gemaakt van processen of apparatuur die niet vallen onder de groepen H01L 21\5 tot H01L 21\5 (maken van elektroden daarop H01L 21\5) [2]
H01L 21/461
voor het veranderen van hun fysische oppervlaktekarakteristieken of vorm, bijv. etsen, polijsten of snijden [2]
H01L 21/463
Mechanisch behandelen, bijv. slijpen of schuren, of ultrasoon behandelen [2]
H01L 21/465
Chemisch of elektrisch behandelen, bijv. elektrolytisch etsen (voor het vormen van isolatielagen H01L 21\5) [2]
H01L 21/467
gebruikmakend van maskers [2]
H01L 21/469
voor het vormen van isolatielagen daarop, bijv. voor maskering of door gebruik te maken van foto-lithografische technieken (inkapselende lagen H01L 21\5); Nabehandelen van deze lagen [2,5,9]
H01L 21/473
opgebouwd uit oxiden, glasachtige oxiden of op oxiden gebaseerd glas [2]
H01L 21/475
gebruikmakend van maskers [2,5]
H01L 21/4757
Nabehandelen [5]
H01L 21/4763
Afzetten van niet-isolerende lagen, bijv. geleidingslagen of weerstandslagen, op isolatielagen; Nabehandelen van deze lagen (maken van elektroden H01L 21\5) [5]
H01L 21/52
Bevestigen van halfgeleiderlichamen in containers [2]
H01L 21/54
Zorgen voor vullingen in containers, bijv. gasvullingen [2]
H01L 21/56
Inkapselingen, bijv. inkapselende lagen of coatings [2]
H01L 21/58
Bevestigen van halfgeleiderinrichtingen op steunen [2]
H01L 21/60
Vastmaken van leidingen of andere geleidingslichamen die moeten worden gebruikt voor het transporteren van stroom naar of van de werkende inrichting [2]
H01L 21/603
waarbij sprake is van het uitoefenen van druk, bijv. verlijmen onder invloed van warmte en druk H01L 21\5 heeft voorrang) [2]
H01L 21/607
waarbij sprake is van mechanische trillingen, bijv. ultrasoontrillingen [2]
H01L 21/62
waarbij de inrichtingen geen potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière hebben [2]
H01L 21/66
Testen of meten tijdens fabricage of behandeling [2,9]
H01L 21/67
Speciaal aangepaste apparatuur voor het hanteren van halfgeleiderinrichtingen of elektrische halfgeleiderapparatuur tijdens het maken of behandelen daarvan; Speciaal aangepaste apparatuur voor het hanteren van wafers tijdens het maken of behandelen van halfgeleiderinrichtingen of elektrische halfgeleiderapparatuur of componenten daarvan [8]
H01L 21/673
gebruikmakend van speciaal aangepaste dragers [8]
H01L 21/677
voor het transport, bijv. tussen verschillende werkstations [8]
H01L 21/68
Apparatuur voor het positioneren, richten of uitlijnen [2,8,9]
H01L 21/683
voor het ondersteunen of vastgrijpen (voor het positioneren, richten of uitlijnen H01L 21\5) [8,9]
H01L 21/687
gebruikmakend van mechanische middelen, bijv. klemmen, klampen of knijpers [8]
H01L 21/70
Maken of behandelen van inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleider componenten of geïntegreerde circuits in of op een gemeenschappelijk substraat, of van specifieke delen daarvan; Maken van inrichtingen met geïntegreerde circuits of van specifieke delen daarvan (maken van stelsels die bestaan uit voorgevormde elektrische componenten H05K 3\5 of H05K 13\5) [2]
H01L 21/74
Maken van afgedekte gebieden met een hoge concentratie aan verontreinigingen, bijv. ingegraven collectorlagen of inwendige verbindingen [2]
H01L 21/76
Maken van geïsoleerde gebieden tussen componenten [2]
H01L 21/761
PN-juncties [6]
H01L 21/762
Diëlectrische gebieden [6]
H01L 21/763
Polykristallijne halfgeleidergebieden [6]
H01L 21/764
Luchtspleten [6]
H01L 21/765
door een veldeffect [6]
H01L 21/768
Aanbrengen van onderlinge verbindingen die moeten worden gebruikt voor het transporteren van stroom tussen afzonderlijke componenten in een inrichting [6]
H01L 21/77
Maken of behandelen van inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleider componenten of geïntegreerde circuits, die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat (elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM) of meertrapsproductieprocessen daarvoor H01L 27\5) [6,17]
H01L 21/78
met een daaropvolgende verdeling van het substraat in meerdere afzonderlijke inrichtingen (snijden voor het veranderen van de fysische oppervlaktekarakteristieken of vorm van halfgeleiderlichamen H01L 21\5) [2,6]
H01L 21/782
voor het produceren van inrichtingen die elk bestaan uit één circuitelement H01L 21\5 heeft voorrang) [6]
H01L 21/784
waarbij het substraat een halfgeleiderlichaam is [6]
H01L 21/786
waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [6]
H01L 21/82
voor het produceren van inrichtingen, bijv. geïntegreerde circuits, die elk bestaan uit meerdere componenten [2]
H01L 21/822
waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van siliciumtechnologie H01L 21\5 heeft voorrang) [6]
H01L 21/8222
Bipolaire technologie [6]
H01L 21/8224
met een combinatie van verticale en dwarse transistors [6]
H01L 21/8226
met invoegtransistorlogica of geïntegreerde injectielogica [6]
H01L 21/8228
Complementaire inrichtingen, bijv. complementaire transistors [6]
H01L 21/8229
Geheugenstructuren [6]
H01L 21/8232
Veldtechnologie [6]
H01L 21/8234
MIS-technologie [6]
H01L 21/8236
Combinaties van verrijkingstransistors en verarmingstransistors [6]
H01L 21/8238
Complementaire veldtransistors, bijv. een CMOS [6]
H01L 21/8239
Geheugenstructuren [6]
H01L 21/8242
Dynamische direct toegankelijke geheugenstructuren (DRAM) [6]
H01L 21/8244
Statische direct toegankelijke geheugenstructuren (SRAM) [6]
H01L 21/8246
Dode geheugenstructuren (ROM) [6]
H01L 21/8248
Combinaties van bipolaire technologie en veldtechnologie [6]
H01L 21/8249
Bipolaire technologie en MOS-technologie [6]
H01L 21/8252
waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van III-V-technologie H01L 21\5 heeft voorrang) [6]
H01L 21/8254
waarbij het substraat een halfgeleider is waarbij gebruik wordt gemaakt van II-VI-technologie H01L 21\5 heeft voorrang) [6]
H01L 21/84
waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [2]
H01L 21/86
waarbij het isolatielichaam saffier is, bijv. silicium op een saffierstructuur, d.w.z. een SOS [2,6]
H01L 21/98
Samenstelsels van inrichtingen die bestaan uit halfgeleider componenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat; Samenstelsels van inrichtingen met geïntegreerde circuits H01L 21\5 heeft voorrang) [2,5,9]
H01L 23/00
Details van halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur H01L 25\5 heeft voorrang) [2,5]
Aantekening
Deze groep dekt geen: - details van halfgeleiderlichamen of van elektroden van inrichtingen uit groep H01L 29\5, welke details vallen onder die groep; - details van inrichtingen uit één hoofdgroep van de groepen H01L 31\5 tot H01L 51\5, welke details vallen onder die groepen. [5,8]
H01L 23/02
Containers; Afdichtingen H01L 23\5, H01L 23\5, H01L 23\5 en H01L 23\5 hebben voorrang) [2,5]
H01L 23/04
gekenmerkt door de vorm [2]
H01L 23/043
waarbij de container een holle constructie is, en een geleidende basis heeft als zowel bevestiging als leiding voor het halfgeleiderlichaam [5]
H01L 23/045
waarbij de andere leidingen een isolerende doorgang door de basis hebben [5]
H01L 23/047
waarbij de andere leidingen parallel aan de basis lopen [5]
H01L 23/049
waarbij de andere leidingen dwars op de basis staan [5]
H01L 23/051
waarbij een andere leiding wordt gevormd door een dekplaat parallel aan de basisplaat, bijv. in de vorm van een sandwich [5]
H01L 23/053
waarbij de container een holle constructie is, en een isolerende basis heeft als bevestiging voor het halfgeleiderlichaam [5]
H01L 23/055
waarbij de leidingen een doorgang door de basis hebben [5]
H01L 23/057
waarbij de leidingen parallel aan de basis lopen [5]
H01L 23/06
gekenmerkt door het materiaal van de container of de elektrische eigenschappen daarvan [2]
H01L 23/08
waarbij het materiaal een elektrische isolator is, bijv. glas [2]
H01L 23/10
gekenmerkt door het materiaal of de opstelling van afdichtingen tussen delen, bijv. tussen deksel en basis van de container of tussen leidingen en wanden van de container [2]
H01L 23/12
Bevestigingen, bijv. niet-losmaakbare isolatiesubstraten [2]
H01L 23/13
gekenmerkt door de vorm [5]
H01L 23/14
gekenmerkt door het materiaal of de elektrische eigenschappen daarvan [2]
H01L 23/15
Keramische substraten of glassubstraten [5]
H01L 23/16
Vullingen of hulplichamen in containers, bijv. centreerringen H01L 23\5 en H01L 23\5 hebben voorrang) [2,5]
H01L 23/18
Vullingen die worden gekenmerkt door het materiaal, de fysische of chemische eigenschappen daarvan of de opstelling daarvan in de volledige inrichting [2]
Aantekening
Groep H01L 23\5 heeft voorrang boven de groepen H01L 23\5 tot H01L 23\5. [2]
H01L 23/20
gasvormig bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]
H01L 23/22
vloeibaar bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]
H01L 23/24
vast of gelvormig bij de normale werktemperatuur van de inrichting [2]
H01L 23/26
inclusief materialen voor het absorberen van of het reageren met vocht of andere ongewenste substanties [2]
H01L 23/28
Inkapselingen, bijv. inkapselende lagen of coatings H01L 23\5 heeft voorrang) [2,5]
H01L 23/29
gekenmerkt door het materiaal [5]
H01L 23/31
gekenmerkt door de opstelling [5]
H01L 23/32
Houders voor het ondersteunen van de volledige inrichting in werking, d.w.z. losmaakbare armaturen H01L 23\5 heeft voorrang) [2,5,9]
H01L 23/34
Voorzieningen voor koeling, verwarming, ventilatie of temperatuurcompensatie [2,5]
H01L 23/36
Selectie van materialen of vormen voor het koelen of verwarmen, bijv. warmteputten [2]
H01L 23/367
Koelen door de vorm van de inrichting [5]
H01L 23/373
Koelen door de selectie van materialen voor de inrichting [5]
H01L 23/38
Koelvoorzieningen waarbij gebruik wordt gemaakt van het Peltier-effect [2]
H01L 23/40
Bevestigingen of vastzetmiddelen voor losmaakbare koelvoorzieningen of verwarmingsvoorzieningen [2]
H01L 23/42
Vullingen of hulplichamen in containers die zijn geselecteerd of aangebracht voor het kunnen verwarmen of koelen [2,5,9]
H01L 23/427
Koelen door het veranderen van aggregaatstoestand, bijv. gebruik van warmtepijpen [5]
H01L 23/433
Hulplichamen die worden gekenmerkt door hun vorm, bijv. zuigers [5]
H01L 23/44
waarbij de volledige inrichting geheel is ondergedompeld in een ander fluïdum dan lucht H01L 23\5 heeft voorrang) [2,5]
H01L 23/467
door stromende gassen, bijv. lucht [5]
H01L 23/473
door stromende vloeistoffen [5]
H01L 23/48
Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom naar of van het werkende halfgeleider lichaam, bijv. leidingen of aansluitklemvoorzieningen [2,9]
H01L 23/482
bestaande uit invoerlagen die onafscheidelijk zijn aangebracht op het halfgeleiderlichaam [5]
H01L 23/485
bestaande uit gelaagde constructies die geleidingslagen en isolatielagen bevatten, bijv. platte contacten [5]
H01L 23/488
bestaande uit gesoldeerde of gelijmde constructies [5,8]
H01L 23/49
draadvormig [5]
H01L 23/492
Bases of platen [5]
H01L 23/495
Leidingframes [5]
H01L 23/498
Leidingen op isolerende substraten [5]
H01L 23/52
Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom in de werkende inrichting van de ene component naar een andere [2]
H01L 23/522
met uitwendige onderlinge verbindingen die bestaan uit een meerlaagse structuur van geleidingslagen en isolatielagen die onafscheidelijk zijn gevormd op het halfgeleiderlichaam [5]
H01L 23/525
met aanpasbare onderlinge verbindingen [5]
H01L 23/528
Layout van de onderlinge verbindingsstructuur [5]
H01L 23/532
gekenmerkt door de materialen [5]
H01L 23/535
met inwendige onderlinge verbindingen, bijv. constructies met onderkruisingen [5]
H01L 23/538
waarbij de onderlinge verbindingsstructuur tussen meerdere halfgeleiderchips wordt gevormd op of in isolerende substraten [5,9]
H01L 23/544
Markeringen die worden aangebracht op halfgeleiderinrichtingen, bijv. registratiemarkeringen of testpatronen [5]
H01L 23/552
Beschermen tegen straling, bijv. licht [5]
H01L 23/556
tegen alfastralen [5]
H01L 23/58
Niet elders ondergebrachte structurele elektrische voorzieningen voor halfgeleiderinrichtingen [5]
H01L 23/60
Beschermen tegen elektrostatische ladingen of ontladingen, bijv. Faraday-kooien [5,9]
H01L 23/62
Beschermen tegen overstroom of overlading, bijv. zekeringen of shunts [5]
H01L 23/64
Impedantievoorzieningen [5]
H01L 23/66
Hoogfrequente aanpassingen [5]
H01L 25/00
Stelsels die bestaan uit meerdere afzonderlijke halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5; fotovoltaïsche modules of reeksen van fotovoltaïsche cellen H01L 31\5) [2,5,9,14]
H01L 25/03
waarbij alle inrichtingen van een soort zijn uit dezelfde subgroep van de groepen H01L 27\5 tot H01L 51\5, bijv. stelsels van gelijkrichterdioden [5,8]
H01L 25/04
waarbij de inrichtingen geen afzonderlijke containers hebben [2]
H01L 25/10
waarbij de inrichtingen afzonderlijke containers hebben [2]
H01L 27/00
Inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten of andere halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat (details daarvan H01L 23\5 of H01L 29\5 tot H01L 51\5; stelsels die bestaan uit meerdere afzonderlijke halfgeleiderapparaten H01L 25\5) [2,8,9]
Aantekeningen
1. In de groepen H01L27/01 tot H01L 27\5 is de prioriteitsregel voor de laatste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt geklasseerd in de laatst toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [2,8,15,17] 2. Bij het klasseren in deze groep worden onderwerpen met betrekking tot elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM) geklasseerd in de groep H01L 27\5, ongeacht de prioriteitsregel voor de laatste plaats [17]
H01L 27/01
met alleen passieve elementen in de vorm van een dunne of dikke film die zijn gevormd op een gemeenschappelijk isolatiesubstraat [3]
H01L 27/02
met speciaal aangepaste halfgeleidercomponenten voor het gelijkrichten, oscilleren, versterken of schakelen en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; met geïntegreerde passieve circuitelementen met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2,8]
H01L 27/04
waarbij het substraat een halfgeleiderlichaam is [2]
H01L 27/06
met meerdere afzonderlijke componenten in een niet-repeterende opstelling [2]
H01L 27/07
waarbij de componenten gezamenlijk een actief gebied hebben [5]
H01L 27/08
met alleen halfgeleidercomponenten van één soort [2]
H01L 27/082
met alleen bipolaire componenten [5]
H01L 27/085
met alleen veldcomponenten [5]
H01L 27/088
waarbij de componenten veldtransistors zijn met een geïsoleerde poort [5]
H01L 27/092
complementaire MIS veldtransistors [5]
H01L 27/095
waarbij de componenten veldtransistors zijn met een Schottky-afsluitpoort [5]
H01L 27/098
waarbij de componenten veldtransistors zijn met een PN-junctiepoort [5]
H01L 27/10
met meerdere afzonderlijke componenten in een repeterende opstelling [2]
H01L 27/102
met bipolaire componenten [5]
H01L 27/105
met veldcomponenten [5]
H01L 27/108
Dynamische direct toegankelijke geheugenstructuren (DRAM) [5]
H01L 27/11
Statische direct toegankelijke geheugenstructuren (SRAM) [5]
H01L 27/112
Dode geheugenstructuren (ROM) [5]
H01L 27/115
Elektrisch programmeerbare dode geheugens (EPROM); Meertrapsproductieprocessen daarvoor [5,17]
H01L 27/11502
met ferro-elektrische geheugencondensatoren [17]
H01L 27/11504
gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]
H01L 27/11507
gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]
H01L 27/11509
gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]
H01L 27/11512
gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]
H01L 27/11514
gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau's [17]
H01L 27/11517
met zwevende poorten [17]
H01L 27/11519
gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]
H01L 27/11521
gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]
H01L 27/11524
met celselectietransistoren, bijv. NAND [17]
H01L 27/11526
gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]
H01L 27/11529
van geheugengebieden die celselectietransistoren, bijv. NAND, bevatten [17]
H01L 27/11531
Gelijktijdig produceren van periferie en geheugencellen [17]
H01L 27/11534
met slechts één type perifere transistor [17]
H01L 27/11536
. met een stuurpoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]
H01L 27/11539
. met een diëlektrische tussenpoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]
H01L 27/11541
. met een zwevendepoortlaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]
H01L 27/11543
. met een diëlektrische tunnellaag die tevens wordt gebruikt als deel van de perifere transistor [17]
H01L 27/11546
met verschillende soorten perifere transistoren [17]
H01L 27/11548
gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]
H01L 27/11551
gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau's [17]
H01L 27/11553
met bron en afvoer op verschillende niveau's, bijv. met aflopende kanalen [17]
H01L 27/11556
waarbij de kanalen vertikale delen hebben, bijv. U-vormige kanalen [17]
H01L 27/11558
waarbij de stuurpoort een gedoteerd gebied is, bijv. single-poly geheugencellen [17]
H01L 27/1156
waarbij de zwevende poort een elektrode is die wordt gedeeld door twee of meer componenten [17]
H01L 27/11563
met lading-vervangende poortisolatoren, bijv. MNOS of NROM [17]
H01L 27/11565
gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]
H01L 27/11568
gekenmerkt door het geheugenkerngebied (driedimensionale rangschikkingen H01L 27\5) [17]
H01L 27/1157
met celselectietransistoren, bijv. NAND [17]
H01L 27/11573
gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]
H01L 27/11575
gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]
H01L 27/11578
gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau's [17]
H01L 27/1158
met bron en afvoer op verschillende niveau's, bijv. met aflopende kanalen [17]
H01L 27/11582
waarbij de kanalen vertikale delen hebben, bijv. U-vormige kanalen [17]
H01L 27/11585
waarbij de poortelektroden een laag bevatten die wordt gebruikt om zijn ferro-elektrische geheugeneigenschappen, bijv. metaal-ferroelektrisch-halfgeleider (MFS) of metaal-ferroelektrisch-metaal-isolator-halfgeleider (MFMIS) [17]
H01L 27/11587
gekenmerkt door de layout van het bovenaanzicht [17]
H01L 27/1159
gekenmerkt door het geheugenkerngebied [17]
H01L 27/11592
gekenmerkt door het perifere schakelgebied [17]
H01L 27/11595
gekenmerkt door het grensgebied tussen de kern en de perifere schakelgebieden [17]
H01L 27/11597
gekenmerkt door de driedimensionale rangschikkingen, bijv. met cellen op verschillende hoogteniveau's [17]
H01L 27/118
Masterslice geïntegreerde circuits [5]
H01L 27/12
waarbij het substraat iets anders is als een halfgeleiderlichaam, bijv. een isolatielichaam [2]
H01L 27/13
gecombineerd met passieve componenten in de vorm van een dunne of dikke film [3]
H01L 27/14
met halfgeleidercomponenten die gevoelig zijn voor infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling met een kortere golflengte of lichaamsstraling, en speciaal aangepast voor het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie of voor het regelen van elektrische energie door dergelijke straling (stralingsgevoelige componenten die structureel samenhangen met alleen één of meer elektrische lichtbronnen H01L 31\5; koppelingen van lichtgeleiders met opto-elektronische elementen G02B 6\5) [2,8]
H01L 27/142
Inrichtingen voor het omzetten van energie [5]
H01L 27/144
Inrichtingen die worden geregeld door straling [5]
H01L 27/146
Beeldgeverstructuren [5]
H01L 27/148
Door lading gekoppelde beeldgevers [5]
H01L 27/15
met halfgeleidercomponenten met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, die speciaal zijn aangepast voor lichtemissie [2,8]
H01L 27/16
met thermo-elektrische componenten met of zonder een junctie van ongelijksoortige materialen; met thermomagnetische componenten (alleen gebruikmakend van het Peltier-effect voor het koelen van halfgeleiderinrichtingen of andere halfgeleiderapparatuur H01L 23\5) [2]
H01L 27/18
met componenten die supergeleiding vertonen [2]
H01L 27/20
met piëzo-elektrische componenten; met elektrostrictieve componenten; met magnetostrictieve componenten [2,7]
H01L 27/22
met componenten waarbij gebruik wordt gemaakt van galvano-magnetische effecten, bijv. het Hall-effect; gebruikmakend van soortgelijke magnetische veldeffecten [2]
H01L 27/24
met halfgeleidercomponenten voor het gelijkrichten, versterken of schakelen zonder een potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2]
H01L 27/26
met componenten met negatieve massaweerstand [2]
H01L 27/28
met componenten waarbij gebruik wordt gemaakt van organische materialen als het actieve gedeelte, of van een combinatie van organische materialen met andere materialen als het actieve gedeelte [8]
H01L 27/30
met speciaal aangepaste componenten voor het aftasten van infraroodstraling, elektromagnetische straling van kortere golflengte of lichaamsstraling; met speciaal aangepaste componenten voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie ofwel het regelen van elektrische energie bij dergelijke straling [8]
H01L 27/32
met speciaal aangepaste componenten voor lichtuitstraling, bijv. platte schermen die gebruik maken van licht-uitstralende diodes [8]
H01L 29/00
Speciaal aangepaste halfgeleiderinrichtingen voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; Condensatoren of weerstanden met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. een PN-junctie met verarmde laag of laag met een dragerconcentratie; Details van halfgeleiderlichamen of van elektroden daarvan H01L 31\5 tot H01L 47\5 en H01L 51\5 hebben voorrang; andere details dan van halfgeleiderlichamen of van elektroden daarvan H01L 23\5; inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,6,8,9]
Aantekening
In deze hoofdgroep wordt geklasseerd in elk van de groepen H01L 29\5, H01L 29\5 en H01L 29\5 als al deze groepen relevant zijn. [2,8]
H01L 29/02
Halfgeleiderlichamen [2]
H01L 29/04
gekenmerkt door hun kristallijne structuur, bijv. polykristallijn, kubusvormig of met specifiek georiënteerde kristallijne vlakken (gekenmerkt door fysische gebreken H01L 29\5) [2,9]
H01L 29/06
gekenmerkt door hun vorm; gekenmerkt door de vormen, relatieve afmetingen of plaatsingen van de halfgeleidergebieden [2]
H01L 29/08
waarbij halfgeleidergebieden zijn verbonden met een elektrode die stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld, en waarbij zo'n elektrode deel uitmaakt van een halfgeleiderinrichting die drie of meer elektroden bevat [2]
H01L 29/10
waarbij halfgeleidergebieden verbonden zijn met een elektrode die geen stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld, en waarbij zo'n elektrode deel uitmaakt van een halfgeleiderinrichting die drie of meer elektroden bevat [2]
H01L 29/12
gekenmerkt door de materialen waarvan zij zijn gevormd [2]
Aantekening
Groep H01L 29\5 heeft voorrang boven de groepen H01L 29\5 tot H01L 29\5. [6]
H01L 29/16
met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, alleen elementen van de vierde groep van het Periodiek Systeem in een niet-chemisch gebonden vorm [2]
H01L 29/161
met twee of meer elementen uit groep H01L 29\5 [2]
H01L 29/165
in verschillende halfgeleidergebieden [2]
H01L 29/167
verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]
H01L 29/18
met alleen seleen of telluur, naast doping materialen of andere verontreinigingen [2]
H01L 29/20
met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, alleen AIIIBV verbindingen [2,6]
H01L 29/201
met twee of meer verbindingen [2]
H01L 29/205
in verschillende halfgeleidergebieden [2]
H01L 29/207
verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]
H01L 29/22
met, naast doping materialen of andere verontreiniging, alleen AIIBVI verbindingen [2]
H01L 29/221
met twee of meer verbindingen [2]
H01L 29/225
in verschillende halfgeleidergebieden [2]
H01L 29/227
verder gekenmerkt door het doping materiaal [2]
H01L 29/26
met, naast doping materialen of andere verontreinigingen, elementen die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 29\5, H01L 29\5, H01L 29\5, H01L 29\5 of H01L 29\5 [2]
H01L 29/267
in verschillende halfgeleidergebieden [2]
H01L 29/30
gekenmerkt door fysische gebreken; met een gepolijst of geruwd oppervlak [2]
H01L 29/32
waarbij de gebreken in het halfgeleiderlichaam zitten [2]
H01L 29/34
waarbij de gebreken aan het oppervlak zitten [2]
H01L 29/36
gekenmerkt door de concentratie of spreiding van de verontreinigingen [2]
H01L 29/40
Elektroden [2]
H01L 29/41
gekenmerkt door hun vorm, relatieve afmetingen of plaatsingen [6]
H01L 29/417
voor het dragen van de stroom die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld [6]
H01L 29/423
niet voor het dragen van de stroom die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld [6]
H01L 29/43
gekenmerkt door de materialen waaruit zij zijn gevormd [6]
H01L 29/45
Ohmse elektroden [6]
H01L 29/47
Schottky-barrière-elektroden [6]
H01L 29/49
Halfgeleiderelektroden met metaalisolator [6]
H01L 29/51
Daarmee verbonden isolatiematerialen [6]
H01L 29/66
Soorten halfgeleiderinrichtingen [2]
H01L 29/68
regelbaar door alleen de toegevoerde elektrische stroom, of alleen het aangebrachte elektrische potentiaal, aan een elektrode die geen stroom draagt die moet worden gelijkgericht, versterkt of geschakeld H01L 29\5 heeft voorrang) [2]
H01L 29/70
Bipolaire inrichtingen [2]
H01L 29/72
Transistorinrichtingen, d.w.z. in staat tot een continue reactie op toegepaste regelsignalen [2]
H01L 29/73
Bipolaire junctietransistors [5]
H01L 29/732
Verticale transistors [6]
H01L 29/735
Dwarse transistors [6]
H01L 29/737
Heterojunctietransistors (onregelmatig vertakt) [6]
H01L 29/739
geregeld door een veldeffect [6]
H01L 29/74
Thyristorinrichtingen, bijv. met een regeneratorwerking in vier zones [2]
H01L 29/744
Inrichtingen met poortuitschakeling [6]
H01L 29/745
met uitschakeling door een veldeffect [6]
H01L 29/747
Tweeweginrichtingen, bijv. triacs [2]
H01L 29/749
met uitschakeling door een veldeffect [6]
H01L 29/76
Unipolaire inrichtingen [2]
H01L 29/762
Inrichtingen voor het overdragen van lading [6]
H01L 29/765
Lading-gekoppelde inrichtingen [6]
H01L 29/768
waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een geïsoleerde poort [6]
H01L 29/772
Veldtransistors [6]
H01L 29/775
met een ééndimensionaal kanaal voor een gas dat lading draagt, bijv. een FET met kwantumdraad [6]
H01L 29/778
met een tweedimensionaal kanaal voor een gas dat lading draagt, bijv. een HEMT [6]
H01L 29/78
waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een geïsoleerde poort [2]
H01L 29/786
Transistors in de vorm van een dunne film [6]
H01L 29/788
met een zwevende poort [5]
H01L 29/792
met een poortvormige scheidingsschakelaar die de lading afvangt, bijv. een MNOS-geheugentransistor [5]
H01L 29/80
waarbij een veldeffect wordt geproduceerd door een PN-juntiepoort of een andere gelijkrichtende junctiepoort [2]
H01L 29/808
met een PN-junctiepoort [5]
H01L 29/812
met een Schottky-poort [5]
H01L 29/82
regelbaar door het variëren van het magnetische veld dat wordt aangebracht op de inrichting H01L 29\5 heeft voorrang) [2,6]
H01L 29/84
regelbaar door het variëren van de uitgeoefende mechanische kracht, bijv. druk H01L 29\5 heeft voorrang) [2,6]
H01L 29/86
regelbaar door alleen het variëren van de toegevoerde elektrische stroom, of alleen het aangebrachte elektrische potentiaal, aan één of meer van de elektroden die de stroom dragen die moet worden gelijkgericht, versterkt, geoscilleerd of geschakeld H01L 29\5 heeft voorrang) [2]
H01L 29/8605
Weerstanden met PN-junctie [6]
H01L 29/861
Dioden [6]
H01L 29/862
Puntcontactdioden [6]
H01L 29/864
Looptijddioden, bijv. een IMPATT-diode of TRAPATT-diode [6]
H01L 29/866
Zenerdioden [6]
H01L 29/868
PIN-dioden [6]
H01L 29/87
Thyristor-dioden, bijv. een Shockley-diode of break-over diode [6]
H01L 29/872
Schottky-dioden [6]
H01L 29/88
Tunneldioden [2]
H01L 29/885
Esaki-dioden [6]
H01L 29/92
Condensatoren met een potentiaalsprongbarrière of een oppervlaktebarrière [2]
H01L 29/93
Dioden met variabele capaciteit, bijv. varactors [2]
H01L 29/94
Halfgeleiders met metalen isolator, bijv. een MOS [2]
H01L 31/00
Halfgeleiderinrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling van een kortere golflengte of lichaamsstraling, en die speciaal zijn aangepast voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie ofwel het regelen van elektrische energie door dergelijke straling; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan H01L 51\5 heeft voorrang; inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, anders dan combinaties van stralingsgevoelige componenten met één of meer elektrische lichtbronnen, H01L 27\5) [2,6,8,9]
H01L 31/02
Details [2]
H01L 31/0248
gekenmerkt door hun halfgeleiderlichamen [5]
H01L 31/0256
gekenmerkt door het materiaal [5]
H01L 31/0264
Anorganische materialen [5]
H01L 31/0272
Seleen of telluur [5]
H01L 31/028
met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen elementen van de vierde groep van het Periodiek Systeem [5]
H01L 31/0288
gekenmerkt door het doping materiaal [5]
H01L 31/0296
met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen AIIBVI verbindingen, bijv. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
H01L 31/0304
met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen AIIIBV verbindingen [5]
H01L 31/0312
met, naast doping materialen of verontreinigingen, alleen AIVBIV verbindingen, bijv. SiC [5]
H01L 31/0328
met, naast doping materialen of verontreinigingen, halfgeleidermaterialen die vallen onder twee of meer van de groepen H01L 31\5 tot H01L 31\5 [5]
H01L 31/0336
in verschillende halfgeleidergebieden, bijv. Cu2X/CdX heterojuncties, waarbij X een element is van de zesde groep van het Periodiek Systeem [5]
H01L 31/0352
gekenmerkt door hun vorm of door de vormen, relatieve afmetingen of plaatsingen van de halfgeleidergebieden [5]
H01L 31/036
gekenmerkt door hun kristallijne structuur of specifieke oriëntatie van de kristallijne vlakken [5]
H01L 31/0368
met polykristallijne halfgeleiders H01L 31\5 heeft voorrang) [5]
H01L 31/0376
met amorfe halfgeleiders H01L 31\5 heeft voorrang) [5]
H01L 31/0384
met andere niet mono-kristallijne materialen, bijv. halfgeleiderdeeltjes die zijn ingebed in een isolatiemateriaal H01L 31\5 heeft voorrang) [5]
H01L 31/0392
met dunne films die zijn afgezet op metaalachtige substraten of isolatiesubstraten [5]
H01L 31/04
aangepast als fotovoltaïsche [PV] omzettingsinrichtingen, bijv. PV modules of losse PV cellen (testen daarvan tijdens de productie H01L 21\5; testen daarvan na de productie H02S 50\5) [2,14]
H01L 31/041
Voorzieningen ter voorkoming van schade veroorzaakt door lichaamsstraling, bijv. voor toepassingen in de ruimte [14]
H01L 31/042
PV modules of losse PV cellen (meerdere dunnefilm-zonnecellen op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5; draagstructuren voor PV modules H02S 20\5) [5,14]
H01L 31/043
Mechanisch gestapelde PV cellen [14]
H01L 31/048
Inkapseling van modules [5,14]
H01L 31/049
Beschermende ruglagen [14]
H01L 31/05
Onderlinge elektrische verbindingsmiddelen tussen PV cellen binnen de PV module, bijv. een seriële verbindingen van PV cellen (elektroden H01L 31\5; onderlinge elektrische verbinding van dunnefilm-zonnecellen die zijn gevormd op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5; onderlinge elektrische verbindingsmiddelen speciaal aangepast voor het elektrisch verbinden van twee of meer PV modules H02S 40\5) [5,14]
H01L 31/052
Koelmiddelen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. geïntegreerde Peltier-elementen voor het actief koelen van koellichamen die direct samenhangen met de PV cellen (koelmiddelen in combinatie met de PV module H02S 40\5) [5,14]
H01L 31/0525
waarbij sprake is van middelen voor het gebruiken van warmte-energie die direct samenhangen met de PV cel, bijv. geïntegreerde Seebeck-elementen [14]
H01L 31/053
Energieopslagmiddelen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. een condensator geïntegreerd in een PV cel (energieopslagmiddelen die samenhangen met de PV module H02S 40\5) [14]
H01L 31/054
Optische elementen die direct samenhangen met of zijn geïntegreerd in de PV cel, bijv. licht-reflectiemiddelen of licht-concentratiemiddelen [14]
H01L 31/055
waarbij licht wordt geabsorbeerd en weer terug gestraald met een andere golflengte door het optische element dat direct samenhangt met of is geïntegreerd in de PV cel, bijv. door gebruik te maken van luminescent materiaal, fluorescente concentrators of up-conversion voorzieningen [5,14]
H01L 31/056
waarbij de licht-reflecterende middelen van het soort met een reflecterende ruglaag [BSR] zijn [14]
H01L 31/06
gekenmerkt door tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [2]
H01L 31/061
waarbij de potentiaalbarrières de vorm hebben van een puntcontact H01L 31\5 heeft voorrang) [12]
H01L 31/062
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een halfgeleider met metaalisolator [5]
H01L 31/065
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een gelaagde spleet [5]
H01L 31/068
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PN-homojunctie, bijv. bulk PN-homojunctie siliciumzonnecellen of dunnefilm-polykristallijne PN-homojunctie siliciumzonnecellen [5,12]
H01L 31/0687
Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]
H01L 31/0693
waarbij de inrichtingen, naast verontreinigingsmateriaal of onzuiverheden, alleen AIIIBV- verbindingen bevatten, bijv. GaAs-zonnecellen of InP-zonnecellen [12]
H01L 31/07
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een Schottky-potentiaalbarrière [5]
H01L 31/072
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PN-heterojunctie [5]
H01L 31/0725
Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]
H01L 31/073
met alleen halfgeleiders met AIIBVI-verbindingen, bijv. CdS/CdTe-zonnecellen [12]
H01L 31/0735
met alleen halfgeleiders met AIIIBV-verbindingen, bijv. GaAs/AlGaAs-zonnecellen of InP/GaInAs-zonnecellen [12]
H01L 31/074
met een heterojunctie met een element uit de 4e Groep van het Periodiek Systeem, bijv. ITO/Si-zonnecellen, GaAs/Si-zonnecellen of CdTe/Si-zonnecellen [12]
H01L 31/0745
met een AIVBIV-heterojunctie, bijv. Si/Ge-zonnecellen, SiGe/Si-zonnecellen of Si/SiC-zonnecellen [12]
H01L 31/0747
met een heterojunctie van kristallijne en amorfe materialen, bijv. een heterojunctie met een intrinsieke dunne laag of HIT®-zonnecellen [12]
H01L 31/0749
met een AIBIIICVI-verbinding, bijv. zonnecellen met een CdS/CuInSe2 [CIS] -heterojunctie [12]
H01L 31/075
waarbij de potentiaalbarrières alleen de vorm hebben van een PIN-potentiaalbarrière, bijv. amorfe PIN siliciumzonnecellen [5,12]
H01L 31/076
Zonnecellen met meerdere knooppunten of tandemzonnecellen [12]
H01L 31/077
waarbij de inrichtingen mono-kristallijne of polykristallijne materialen bevatten [12]
H01L 31/08
waarin straling de stroomafgifte door de inrichting regelt, bijv. fotoweerstanden [2]
H01L 31/09
Inrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, zichtbare straling of ultravioletstraling H01L 31\5 heeft voorrang) [5]
H01L 31/10
gekenmerkt door tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. fototransistors [2]
H01L 31/101
Inrichtingen die gevoelig zijn voor infraroodstraling, zichtbare straling of ultravioletstraling [5]
H01L 31/102
gekenmerkt door slechts één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]
H01L 31/103
waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een PN-homojunctie [5]
H01L 31/105
waarbij de potentiaalbarrière een PIN-potentiaalbarrière is [5]
H01L 31/107
waarbij de potentiaalbarrière in een afweermodus werkt, bijv. een fotodiode met lawinewerking [5]
H01L 31/108
waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een Schottky-potentiaalbarrière [5]
H01L 31/109
waarbij de potentiaalbarrière de vorm heeft van een PN-heterojunctie is [5]
H01L 31/11
gekenmerkt door twee potentiaalbarrières of oppervlaktebarrières, bijv. een bipolaire fototransistor [5]
H01L 31/111
gekenmerkt door tenminste drie potentiaalbarrières, bijv. een foto-thyristor [5]
H01L 31/112
gekenmerkt door een veldwerking, bijv. een veldfototransistor met junctie [5]
H01L 31/113
in de vorm van een halfgeleider met geïsoleerde geleider, bijv. een veldtransistor in de vorm van een halfgeleider met metaalisolator [5]
H01L 31/115
Inrichtingen die gevoelig zijn voor zeer korte golflengten, bijv. röntgenstraling, gammastraling of lichaamsstraling [5]
H01L 31/117
met een stralingsmassa-detector, bijv. een PIN-gammastraaldetector met Ge-Li compensatie[5]
H01L 31/118
met een oppervlaktebarrière of een ondiepe detector met PN-junctie, bijv. een alfadeeltjesdetector met oppervlaktebarrière [5]
H01L 31/119
gekenmerkt door een veldwerking, bijv. MIS-detectoren [5]
H01L 31/12
structureel samenhangend, bijv. gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat, met één of meer elektrische lichtbronnen, bijv. elektroluminescente lichtbronnen, en elektrisch of optisch daaraan gekoppeld (elektroluminescente lichtbronnen op zich H05B 33\5) [2,5,8,9]
H01L 31/14
waarbij de lichtbron wordt of de lichtbronnen worden geregeld door de halfgeleiderinrichting die gevoelig is voor straling, bijv. beeldomvormers, beeldversterkers of beeldopslaginrichtingen [2,19]
H01L 31/147
waarbij de lichtbronnen en de stralingsgevoelige inrichtingen alle halfgeleiderinrichtingen zijn met tenminste één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]
H01L 31/153
gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat [5]
H01L 31/16
waarbij de stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting wordt geregeld door de lichtbron of lichtbronnen [2]
H01L 31/167
waarbij de lichtbronnen en de stralingsgevoelige inrichtingen alle halfgeleiderinrichtingen zijn met tenminste één potentiaalbarrière of oppervlaktebarrière [5]
H01L 31/173
gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat [5]
H01L 31/18
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 31/20
waarbij dergelijke inrichtingen of delen daarvan amorf halfgeleidermateriaal bevatten [5]
H01L 33/00
Halfgeleiderinrichtingen met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière die speciaal is aangepast voor lichtuitstraling; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan H01L 51\5 heeft voorrang; inrichtingen bestaande uit meerdere halfgeleidercomponenten die zijn gevormd in of op een gezamenlijk substraat en met inbegrip van halfgeleidercomponenten met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, die speciaal zijn aangepast voor lichtemissie H01L 27\5; halfgeleiderlasers H01S 5\5) [2,7,8,9,10]
Aantekeningen
(1) Deze groep dekt licht-uitstralende diodes (LED's) of super-lichtgevende diodes (SLD's) met inbegrip van LED's of SLD's die infrarood (IR) of ultraviolet (UV) licht uitstralen. [10] (2) In deze groep is de prioriteitsregel voor de eerste plaats van kracht, d.w.z. op elk hiërarchisch niveau wordt geklasseerd in de eerst toepasselijke plaats, tenzij anders staat vermeld. [10,15]
H01L 33/02
gekenmerkt door het halfgeleiderlichaam [10]
H01L 33/04
met een kwantumeffect-structuur of super-rooster, bijv. een tunnelovergang [10]
H01L 33/06
binnen het licht-uitstralende gedeelte, bijv. een quantum opsluittingsstructuur of een tunnelbarrière [10]
H01L 33/08
met meerdere licht-uitstralende gedeelten, bijv. een in laterale richting discontinu licht-uitstralende laag of een foto-luminescent gedeelte geïntegreerd in het halfgeleiderlichaam H01L 27\5 heeft voorrang) [10]
H01L 33/10
met een licht-reflecterende structuur, bijv. een Bragg- halfgeleiderreflector [10]
H01L 33/12
met een spanningsverlagende structuur, bijv. een bufferlaag [10]
H01L 33/14
met een structuur voor het regelen van het ladingstransport, bijv. een sterk-gedoteerde halfgeleiderlaag of een stroom-blokkerende structuur [10]
H01L 33/16
met een bijzondere kristalstructuur of kristaloriëntatie, bijv. polykristallijn, amorf of poreus [10]
H01L 33/18
binnen het licht-uitstralende gedeelte [10]
Aantekening
Bij het klasseren in deze groep wordt tevens geklasseerd in de groep H01L 33\5 of één van de ondergroepen daarvan, teneinde de chemische samenstelling van het licht-uitstralende gebied te identificeren. [10]
H01L 33/20
met een bijzondere vorm, bijv. een gekromd of een afgeknot substraat [10]
H01L 33/22
Geruwde oppervlakken, bijv. op het raakvlak tussen epitaxtiale lagen [10]
H01L 33/24
van het licht-uitstralende gedeelte, bijv. een niet-vlakke overgang [10]
H01L 33/26
Materialen van het licht-uitstralende gedeelte [10]
H01L 33/28
met alleen elementen uit Groep 1 en Groep 4 van het Periodiek Systeem [10]
H01L 33/30
met alleen elementen uit Groep 3 en Groep 5 van het Periodiek Systeem [10]
H01L 33/32
met stikstof [10]
H01L 33/34
met alleen elementen uit Groep 6 van het Periodiek Systeem [10]
H01L 33/36
gekenmerkt door de elektroden [10]
H01L 33/38
met een bijzondere vorm [10]
H01L 33/40
Materialen daarvoor [10]
H01L 33/42
Transparante materialen [10]
H01L 33/44
gekenmerkt door de coatings, bijv. een passiveringslaag of anti-reflectiecoating [10]
H01L 33/46
Reflecterende coating, bijv. een Bragg diëlektrische reflector [10]
H01L 33/48
gekenmerkt door de halfgeleiderlichaam-componenten [10]
Aantekening
Deze groep dekt elementen die in direct contact staan met het halfgeleiderlichaam of die zijn geïntegreerd in de componenten. [10]
H01L 33/50
Golflengte-omzettingselementen [10]
H01L 33/52
Mantels [10]
H01L 33/54
met een bijzondere vorm [10]
H01L 33/56
Materialen, bijv. epoxyhars of siliconenhars [10]
H01L 33/58
Elementen voor het vormgeven van het optische veld [10]
H01L 33/60
Reflecterende elementen [10]
H01L 33/62
Voorzieningen voor het geleiden van elektrische stroom naar of van het halfgeleiderlichaam, bijv. een bedradingsframe, draadverbinding of soldeerkorrel [10]
H01L 33/64
Warmte-afvoerelementen of koelelementen [10]
H01L 35/00
Thermo-elektrische inrichtingen die een junctie bevatten van ongelijksoortige materialen, d.w.z. met een Seebeck-effect of Peltier-effect met of zonder andere thermo-elektrische of thermomagnetische effecten; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,8,9]
H01L 35/02
Details [2]
H01L 35/04
Structurele details van de junctie; Verbindingen voor leidingen [2]
H01L 35/06
afneembaar, bijv. gebruikmakend van een veer [2]
H01L 35/08
niet-afneembaar, bijv. gelijmd, gesinterd of gesoldeerd [2]
H01L 35/10
Verbindingen voor leidingen [2]
H01L 35/12
Selectie van materiaal voor de benen van de junctie [2]
H01L 35/14
gebruikmakend van anorganische samenstellingen [2]
H01L 35/16
met telluur, seleen of zwavel [2]
H01L 35/18
met arseen, antimoon of bismut H01L 35\5 heeft voorrang) [2]
H01L 35/22
met verbindingen die boor, koolstof, zuurstof of stikstof bevatten [2]
H01L 35/24
gebruikmakend van organische samenstellingen [2]
H01L 35/26
gebruikmakend van samenstellingen die continu of discontinu veranderen in het materiaal [2]
H01L 35/28
werkend met alleen een Peltier-effect of Seebeck-effect [2]
H01L 35/30
gekenmerkt door de warmte-uitwisselende middelen bij de junctie [2]
H01L 35/32
gekenmerkt door de structuur of opbouw van de cel of het thermokoppel die de inrichting vormen [2]
H01L 35/34
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 37/00
Thermo-elektrische inrichtingen zonder junctie van ongelijksoortige materialen; Thermomagnetische inrichtingen, bijv. gebruikmakend van het Nernst-Ettinghausen-effect; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,8,9]
H01L 37/02
gebruikmakend van thermische verandering van de diëlectrische constante, bijv. bij het werken boven en onder het Curiepunt [2]
H01L 37/04
gebruikmakend van thermische verandering van de magnetische permeabiliteit, bijv. bij het werken boven en onder het Curiepunt [2]
H01L 39/00
Inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding of hypergeleiding; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5; supergeleiders die worden gekenmerkt door de keramiek-vormende technieken of de keramische samenstelling C04B 35\5; supergeleidende of hyper-geleidende geleiders, kabels of transmissieleidingen H01B 12\5; supergeleidende spoelen of wikkelingen H01F; versterkers waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding H03F 19\5) [2,4,8]
H01L 39/02
Details [2]
H01L 39/04
Containers; Bevestigingen [2]
H01L 39/06
gekenmerkt door het stroom-pad [2]
H01L 39/08
gekenmerkt door de vorm van het element [2]
H01L 39/10
gekenmerkt door de middelen voor het schakelen [2]
H01L 39/12
gekenmerkt door het materiaal [2]
H01L 39/14
Permanente supergeleider-inrichtingen [2]
H01L 39/16
Inrichtingen die kunnen worden omgeschakeld tussen een supergeleidende toestand en een normale toestand [2]
H01L 39/18
Cryotrons [2]
H01L 39/20
Vermogens-cryotrons [2]
H01L 39/22
Inrichtingen die een junctie bevatten van ongelijksoortige materialen, bijv. Josephson-inrichtingen [2]
H01L 39/24
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van inrichtingen uit groep H01L 39\5 of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 41/00
Piëzo-elektrische apparaten in het algemeen; Elektrostrictieve apparaten in het algemeen; Magnetostrictieve apparaten in het algemeen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan; Details daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,8,13]
Aantekeningen
(1) Deze groep dekt geen aanpassingen voor een specifiek doel, welke vallen onder de relevante plaatsen. [6] (2) De aandacht wordt gevestigd op de volgende, bedoelde plaatsen: [6] B06B voor aanpassingen voor het opwekken of overbrengen van mechanische trillingen [6] G01 voor transducers als tastelementen voor meting [6] G04C en G04F voor transducers die zijn aangepast voor gebruik in uurwerken [6] G10K voor aanpassingen voor het opwekken of overbrengen van geluid [6] H02N voor voorzieningen van elementen in elektrische machines [6] H03H 9\5 voor netwerken die elektromechanische of elektroakoestische elementen bevatten, bijv. resonantiecircuits [6] H04R voor luidsprekers, microfoons, platenspelers of soortgelijke transducers. [6]
H01L 41/02
Details [2]
H01L 41/04
van piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]
H01L 41/047
Elektroden [6]
H01L 41/053
Bevestigingen, steunen, omhullingen of omhulsels [6]
H01L 41/06
van magnetostrictieve elementen [2]
H01L 41/08
Piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]
Aantekening
De groepen H01L 41\5 en H01L 41\5 hebben voorrang boven de groepen H01L 41\5 tot H01L 41\5. [6]
H01L 41/083
met een gestapelde of meerlaagse structuur [6]
H01L 41/087
gevormd als coaxkabels [6]
H01L 41/09
met een elektrische invoer en mechanische uitvoer [5]
H01L 41/107
met een elektrische invoer en elektrische uitvoer [5]
H01L 41/113
met een mechanische invoer en elektrische uitvoer [5]
H01L 41/12
Magnetostrictieve elementen [2]
H01L 41/16
Materialen [2]
H01L 41/18
voor piëzo-elektrische of elektrostrictieve elementen [2]
H01L 41/187
Keramische samenstellingen [5]
H01L 41/193
Macromoleculaire samenstellingen [5]
H01L 41/20
voor magnetostrictieve elementen [2]
H01L 41/22
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het samenstellen, maken of behandelen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve apparaten of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 41/23
Vormen van behuizingen of omhulsels [13]
H01L 41/25
Samenstellen van apparaten met piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]
H01L 41/253
Behandelen van apparaten of delen daarvan voor het modificeren van een piëzo-elektrische of elektrostrictieve eigenschap, bijv. polarisatiekenmerken, trillings-kenmerken of modusafstemming [13]
H01L 41/257
door polariseren [13]
H01L 41/27
Maken van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve apparaten of delen daarvan, bijv. door het stapelen van piëzo-elektrische lichamen en elektroden [13]
H01L 41/273
van elementen met een macromoleculaire samenstelling [13]
H01L 41/277
van elementen met een macromoleculaire samenstelling [13]
H01L 41/29
Vormen van elektroden, elektrodedraden of aansluitklemvoorzieningen [13]
Aantekening
De integrale opstelling van afzonderlijke laagelektroden en aansluitelektroden wordt geklasseerd in zowel de groep H01L 41\5 als de groep H01L 41\5. [13]
H01L 41/293
Aansluitelektroden van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]
H01L 41/297
Afzonderlijke laagelektroden van meerlaagse piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen [13]
H01L 41/31
Aanbrengen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen of lichamen op een elektrisch element of een andere ondergrond [13]
H01L 41/311
Monteren van piëzo-elektrische of elektrostrictieve delen samen met halfgeleiderelementen, of andere circuitelementen, op een gezamenlijk substraat [13]
H01L 41/312
door lamineren of binden van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lichamen [13]
H01L 41/313
door metaalfusie of met kleefmiddelen [13]
H01L 41/314
door afzetten van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lagen, bijv. door aërosoldruk of zeefdruk [13]
H01L 41/316
door dampfase-afzetting [13]
H01L 41/317
door vloeistoffase-afzetting [13]
H01L 41/318
door sol-gelafzetting [13,14]
H01L 41/319
gebruikmakend van tussenlagen, bijv. voor groeicontrole [13]
H01L 41/33
Vormen of bewerken van piëzo-elektrische of elektrostrictieve lichamen [13]
H01L 41/331
door coaten of afzetten gebruikmakend van maskers, bijv. lift-off [13]
H01L 41/332
door etsen, bijv. lithografie [13]
H01L 41/333
door gieten of extruderen [13]
H01L 41/335
door bewerken [13]
H01L 41/337
door polijsten of schuren [13]
H01L 41/338
door snijden of in blokjes snijden [13]
H01L 41/339
door ponsen [13]
H01L 41/35
Vormen van piëzo-elektrische of elektrostrictieve materialen [13]
H01L 41/37
Composietmaterialen [13]
H01L 41/39
Anorganische materialen [13]
H01L 41/41
door smelten [13]
H01L 41/43
door sinteren [13]
H01L 41/45
Organische materialen [13]
H01L 41/47
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het samenstellen, maken of behandelen van magnetostrictieve apparaten of van delen daarvan [13]
H01L 43/00
Inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van galvano-magnetische of soortgelijke magnetische effecten; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,8,9]
H01L 43/02
Details [2]
H01L 43/04
van Hall-inrichtingen [2]
H01L 43/06
Hall-inrichtingen [2]
H01L 43/08
Door een magnetisch veld geregelde weerstanden [2]
H01L 43/10
Selectie van materialen [2]
H01L 43/12
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van deze inrichtingen of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 43/14
voor Hall-inrichtingen [2]
H01L 45/00
Speciaal aangepaste halfgeleiderapparatuur voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen zonder potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière, bijv. diëlectrische trioden; Ovshinsky-inrichtingen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5; inrichtingen waarbij gebruik wordt gemaakt van supergeleiding of hypergeleiding H01L 39\5; piëzo-elektrische elementen H01L 41\5; inrichtingen met negatieve massaweerstand H01L 47\5) [2,8]
H01L 45/02
Halfgeleiderapparatuur met lopende golf [2]
H01L 47/00
Inrichtingen met negatieve massaweerstand, bijv. Gunn-inrichtingen; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan (inrichtingen die bestaan uit meerdere halfgeleidercomponenten die worden gevormd in of op een gemeenschappelijk substraat H01L 27\5) [2,8]
H01L 47/02
Gunn-inrichtingen [2]
H01L 49/00
Halfgeleiderapparatuur die niet valt onder de groepen H01L 27\5 tot H01L 47\5 en H01L 51\5, en die niet in een andere subklasse is ondergebracht; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen daarvan of van delen daarvan [2,8,9]
H01L 49/02
Inrichtingen in de vorm van een dunne of dikke film [2]
H01L 51/00
Halfgeleiderapparatuur gebruikmakend van organische materialen als het actieve deel, of waarbij gebruik wordt gemaakt van een combinatie van organische materialen met andere materialen als het actieve deel; Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of van delen daarvan (inrichtingen bestaande uit meerdere componenten die zijn gevormd in of op een gezamenlijk substraat H01L 27\5; thermo-elektrische inrichtingen gebruikmakend van organisch materiaal H01L 35\5 of H01L 37\5; piëzo-elektrische, elektrostrictieve of magnetostrictieve elementen gebruikmakend van organisch materiaal H01L 41\5) [6,8]
H01L 51/05
speciaal aangepast voor het gelijkrichten, versterken, oscilleren of schakelen, en met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière; Condensatoren of weerstanden met tenminste één potentiaalsprongbarrière of oppervlaktebarrière [8]
H01L 51/10
Details van inrichtingen [6,8]
H01L 51/30
Selectie van materialen [6]
H01L 51/40
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of van delen daarvan [6]
H01L 51/42
speciaal aangepast voor het aftasten van infraroodstraling, licht, elektromagnetische straling van kortere golflengte of lichaamsstraling; speciaal aangepast voor ofwel het omzetten van de energie van dergelijke straling in elektrische energie, ofwel het regelen van elektrische energie bij dergelijke straling [8]
H01L 51/44
Details van inrichtingen [8]
H01L 51/46
Keuze van materialen [8]
H01L 51/48
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of delen daarvan [8]
H01L 51/50
speciaal aangepast voor lichtuitstraling, bijv. organische licht-uitstralende diodes (OLED) of polymere licht-uitstralende inrichtingen (PLED) (organische halfgeleiderlasers H01S 5\5) [8]
H01L 51/52
Details van inrichtingen [8]
H01L 51/54
Keuze van materialen [8,9]
H01L 51/56
Speciaal aangepaste processen of apparatuur voor het maken of behandelen van dergelijke inrichtingen of delen daarvan [8]