(informatieopslag op basis van de relatieve beweging tussen een registratiedrager en een transducer G11B; halfgeleiderinrichtingen voor opslag H01L; puls-techniek in het algemeen H03K, bijv. elektronische schakelaars H03K 17\5) [17]
Aantekeningen
(1) Deze subklasse dekt inrichtingen of voorzieningen voor het opslaan van digitale of analoge informatie: (i) waarin geen relatieve beweging plaatsvindt tussen een informatie-opslagelement en een transducer; (ii) met een selectie-inrichting voor het naar het geheugen schrijven of uit het geheugen aflezen van de informatie. (2) Deze subklasse dekt geen elementen die niet zijn aangepast voor opslag en niet zijn voorzien van de middelen die bedoeld worden in Aantekening (3) hieronder, welke elementen worden geklasseerd in de toepasselijke subklasse, bijv. van H01 of H03K. (3) In deze subklasse worden de volgende termen gebruikt met de aangegeven betekenissen: - “opslagelement” is een element dat tenminste één deel informatie kan bevatten, en dat is voorzien van middelen voor het schrijven of uitlezen van deze informatie; [8] - “geheugen” is een inrichting, inclusief opslagelementen, die informatie kan bevatten die er - indien gewenst - vanaf kan worden gehaald. [8]
G11C 5/00
Details van geheugens die vallen onder groep G11C 11\5
G11C 5/02
Plaatsing van opslagelementen, bijv. in de vorm van een matrixreeks
G11C 5/04
Steunen voor opslagelementen; Monteren of vastzetten van opslagelementen op dergelijke steunen
G11C 5/05
Ondersteunen van kernen in een matrix [2]
G11C 5/06
Voorzieningen voor het onderling elektrisch verbinden van opslagelementen, bijv. bedrading
G11C 5/08
voor het onderling verbinden van magnetische elementen, bijv. toroïdekernen
G11C 5/10
voor het onderling verbinden van condensatoren
G11C 5/12
Apparatuur of processen voor het onderling verbinden van opslagelementen, bijv. voor het snijden van schroefdraad op magnetische kernen
G11C 7/00
Voorzieningen voor het schrijven van informatie naar, of het aflezen van informatie uit, een digitaal geheugen G11C 5\5 heeft voorrang; hulpcircuits voor geheugens waarbij gebruik wordt gemaakt van halfgeleiderinrichtingen G11C 11\5, G11C 11\5 of G11C 11\5) [2,5,7]
G11C 7/02
met middelen voor het vermijden van parasitaire signalen
G11C 7/04
met middelen voor het vermijden van storingen ten gevolge van temperatuureffecten
G11C 7/08
Regelen daarvan [7]
G11C 7/10
Interface voorzieningen voor invoer/uitvoer [I/O] gegevens, bijv. regelcircuits voor I/O-gegevens of I/O-gegevensbuffers (niveauconversie-circuits in het algemeen H03K 19\5) [7,15]
G11C 7/12
Bitline regelcircuits, bijv. stuurprogramma's, versterkingsprogramma's, ophaalcircuits, neerhaalcircuits, voorlaadcircuits of vereffeningscircuits, voor bitlines [7]
G11C 7/14
Schijnelementen-beheer; Generatoren voor de aftastreferentiespanning [7]
G11C 7/16
Opslag van analoge signalen in digitale geheugens waarbij gebruik wordt gemaakt van een opstelling die analoog/digitaal [A/D] omvormers, digitale geheugens en digitaal/analoog [D/A] omvormers bevat [7,15]
G11C 7/18
Bitline organisatie; Bitline layout [7]
G11C 7/20
Startcircuits voor geheugenelementen, bijv. bij het inschakelen of uitschakelen van vermogen, het wissen van geheugen of een latent beeldgeheugen [7]
G11C 7/22
Schrijf/Lees [R-W] tijdcircuits of schrijf/lees [R-W] klokcircuits; Generatoren voor of beheer van schrijf/lees [R/W] regelsignalen [7,15]
G11C 7/24
Beveiligingscircuits of beschermingscircuits voor geheugenelementen, bijv. voorzieningen voor het voorkomen van het onopzettelijk lezen of schrijven; Statuselementen; Testelementen [7]
G11C 8/00
Voorzieningen voor het selecteren van een adres in een digitaal geheugen (hulpcircuits voor geheugens waarbij gebruik wordt gemaakt van halfgeleiderinrichtingen G11C 11\5, G11C 11\5 of G11C 11\5) [2,5,7]
G11C 8/02
gebruikmakend van een selectiematrix [2]
G11C 8/04
gebruikmakend van een adresseerinrichting met stapsgewijze bewerking, bijv. een schuifregister of teller (gebruikmakend van “first in first out” [FIFO] registers voor het veranderen van de snelheid van een digitale gegevensstroom G06F 5\5; gebruikmakend van “last in first out” [LIFO] registers voor het verwerken van digitale gegevens door het bewerken van hun volgorde G06F 7\5) [5,15]
G11C 8/06
Interface voorzieningen voor adressering, bijv. adresbuffers (niveauconversie-circuits in het algemeen H03K 19\5) [7]
G11C 8/08
Woordregel-regelcircuits, bijv. stuurprogramma's, versterkingsprogramma's, ophaalcircuits, neerhaalcircuits of voorlaadcircuits, voor woordregels [7]
G11C 8/10
Decodeerorganen [7]
G11C 8/12
Groepselectiecircuits, bijv. voor geheugenblokselectie, chipselectie of reeksenselectie [7]
G11C 8/14
Woordregel-organisatie; Woordregel-layout [7]
G11C 8/16
Geheugenreeksen met meervoudige toegang, bijv. adresseren van één geheugenelement via tenminste twee onafhankelijke groepen adresseerregels [7]
G11C 8/18
Adresseertijdcircuits of adresseerklokcircuits; Genereren of beheren van adresregelsignalen, bijv. voor row address strobe [RAS] signalen of column address strobe [CAS] signalen [7,15]
G11C 8/20
Beveiligingscircuits of beschermingscircuits voor adressen, d.w.z. voorzieningen voor het voorkomen van ongeoorloofde of onopzettelijke toegang [7]
Aantekening
Groep G11C 11\5 heeft voorrang boven de groepen G11C 11\5 tot G11C 11\5. [2,8]
G11C 11/02
gebruikmakend van magnetische elementen
G11C 11/06
gebruikmakend van opslagelementen met één opening, bijv. een ring-kern; gebruikmakend van platen met meerdere openingen waarbij elke afzonderlijke opening een opslagelement vormt
G11C 11/061
gebruikmakend van elementen met één opening of magnetische lus voor opslag, één element per bit en voor uitwissend lezen [2]
G11C 11/063
in bits georganiseerd, zoals een 2L/2D-organisatie of 3D-organisatie, d.w.z. voor het selecteren van een element door middel van tenminste twee samenvallende deelstromen voor het zowel uitlezen als schrijven [2]
G11C 11/065
in woorden georganiseerd, zoals een 2D-organisatie, of met lineaire selectie, d.w.z. voor het selecteren van alle elementen van een woord door middel van één volledige stroom voor het uitlezen [2]
G11C 11/067
gebruikmakend van opslagelementen met één opening of magnetische lus voor opslag, één element per bit en voor niet-uitwissend lezen [2]
G11C 11/08
gebruikmakend van opslagelementen met meerdere openingen, bijv. gebruikmakend van transfluxors; gebruikmakend van platen met diverse afzonderlijke opslagelementen met meerdere openingen G11C 11\5 heeft voorrang; gebruikmakend van platen met meerdere openingen waarin elke afzonderlijke opening een opslagelement vormt G11C 11\5) [2]
G11C 11/10
gebruikmakend van opslagelementen met meerdere assen
G11C 11/12
gebruikmakend van tensoren (modulussen); gebruikmakend van twistoren, d.w.z. elementen waarin één magneet-as is verwrongen
G11C 11/14
gebruikmakend van dunne-filmelementen
G11C 11/15
gebruikmakend van meerdere magnetische lagen G11C 11\5 heeft voorrang) [2]
G11C 11/155
met een cilindrische opstelling [2]
G11C 11/16
gebruikmakend van elementen waarbij de opslag is gebaseerd op magnetische spin
G11C 11/18
gebruikmakend van Hall-inrichtingen
G11C 11/19
gebruikmakend van niet-lineaire reactieve inrichtingen in resonantiecircuits [2]
G11C 11/20
gebruikmakend van parametrons [2]
G11C 11/21
gebruikmakend van elektrische elementen [2]
G11C 11/22
gebruikmakend van ferro-elektrische elementen [2]
G11C 11/23
gebruikmakend van elektrostatische opslag op een gemeenschappelijke laag, bijv. Forrester-Haeff-buizen G11C 11\5 heeft voorrang) [2]
G11C 11/26
gebruikmakend van ontladingsbuizen [2]
G11C 11/28
gebruikmaken van met gas gevulde buizen [2]
G11C 11/30
gebruikmakend van vacuümbuizen G11C 11\5 heeft voorrang) [2]
G11C 11/34
gebruikmakend van halfgeleiderinrichtingen [2]
G11C 11/35
met ladingopslag in een uitputtings-laag, bijv. door lading gekoppelde inrichtingen [7]
G11C 11/36
gebruikmakend van dioden, bijv. als drempelelementen [2]
G11C 11/38
gebruikmakend van tunneldioden [2]
G11C 11/39
gebruikmakend van thyristors [5]
G11C 11/40
gebruikmakend van transistors [2]
G11C 11/401
waarbij elementen worden gevormd waarvoor opfrissing of ladingregeneratie nodig is, d.w.z. dynamische elementen [5]
G11C 11/402
met ladingregeneratie voor elk geheugenelement afzonderlijk, d.w.z. een interne opfrissing [5]
G11C 11/403
met ladingregeneratie voor een veelheid aan geheugenelementen, d.w.z. een externe opfrissing [5]
G11C 11/404
met per element één poort voor het overdragen van lading, bijv. een MOS-transistor [5]
G11C 11/405
met per element drie poorten voor het overdragen van lading, bijv. een MOS-transistor [5]
G11C 11/406
Beheersen of regelen van de opfriscycli of de ladingregeneratiecycli [5]
G11C 11/4063
Hulpcircuits, bijv. voor het adresseren, decoderen, aandrijven, schrijven, aftasten of op tijd instellen [7]
G11C 11/4067
voor bipolaire geheugenelementen [7]
G11C 11/407
voor veldgeheugenelementen [5]
G11C 11/4072
Circuits voor het starten, inschakelen of uitschakelen van het vermogen, wissen van geheugen of terugstellen [7]
G11C 11/4074
Circuits voor vermogenstoevoer of spanningsopwekking, bijv. voorspanningsgeneratoren, substraatspanningsgeneratoren, reservevermogen of vermogensregelcircuits [7]
G11C 11/4076
Tijdcircuits (voor regeneratiebeheer G11C 11\5) [7]
G11C 11/4078
Veiligheidscircuits of beschermingscircuits, bijv. voor het voorkomen van het onopzettelijk of ongeoorloofd lezen of schrijven; Statuselementen; Testelementen (beschermen van de geheugeninhoud tijdens het controleren of testen G11C 29\5) [7,8]
G11C 11/408
Adrescircuits [5]
G11C 11/409
Lees/Schrijf [R-W] circuits [5,15]
G11C 11/4091
Kiesversterkers of kies/opfris-versterkers, of daarmee samenhangende kiescircuits, bijv. voor het voorladen, vereffenen of isoleren van gekoppelde bitlines [7]
G11C 11/4093
Interface voorzieningen voor invoer/uitvoer [I/O] gegevens, bijv. gegevensbuffers (niveau-conversiecircuits in het algemeen H03K 19\5) [7,15]
G11C 11/4094
Bitline beheer of bitline regelcircuits [7]
G11C 11/4096
Beheer van of regelcircuits voor invoer/uitvoer [I/O] gegevens, bijv. leescircuits of schrijfcircuits, I/O-stuurprogramma's of bitline schakelaars [7,15]
G11C 11/4097
Bitline organisatie, bijv. bitline layout of ingeklapte bitlines [7]
G11C 11/4099
Schijnelementen-behandeling; Referentiespanningsgeneratoren [7]
G11C 11/41
waarbij elementen worden gevormd met terugkoppeling, d.w.z. elementen waarvoor geen opfrissing of ladingregeneratie nodig is, bijv. een bi-stabiele multivibrator of Schmitt-trekker [5]
G11C 11/411
gebruikmakend van alleen bipolaire transistoren [5]
G11C 11/412
gebruikmakend van alleen veldtransistoren [5]
G11C 11/413
Hulpcircuits, bijv. voor het adresseren, decoderen, aandrijven, beschrijven, aftasten, op tijd instellen of vermogensvermindering [5]
G11C 11/414
voor bipolaire geheugenelementen [5]
G11C 11/415
Adrescircuits [5]
G11C 11/416
Lees/schrijf [R-W] circuits [5,15]
G11C 11/417
voor veldgeheugenelementen [5]
G11C 11/418
Adrescircuits [5]
G11C 11/419
Lees/Schrijf [R-W] circuits [5,15]
G11C 11/4193
Hulpcircuits die specifiek horen bij speciale soorten halfgeleider-opslaginrichtingen, bijv. voor adressering, aandrijving, aftasting, tijdinstelling, vermogenstoevoer of signaalvoortplanting G11C 11\5 en G11C 11\5 hebben voorrang) [7]
G11C 11/4195
Adrescircuits [7]
G11C 11/4197
Lees/Schrijf [R-W] circuits [7,15]
G11C 11/42
gebruikmakend van opto-elektronische inrichtingen, d.w.z. met licht-uitstralende en foto-elektrische inrichtingen die elektrisch of optisch zijn gekoppeld
G11C 11/44
gebruikmakend van supergeleidende elementen, bijv. een cryotron [2]
G11C 11/46
gebruikmakend van thermoplastische elementen
G11C 11/48
gebruikmakend van verplaatsbare koppelelementen, bijv. ferromagnetische kernen, voor het produceren van een verandering tussen verschillende toestanden van wederkerige inductie of de zelfinductiecoëfficiënt
G11C 11/50
gebruikmakend van het in werking stellen van elektrische contacten voor het opslaan van de informatie (mechanische geheugens G11C 23\5; schakelaars die zorgen voor een geselecteerd aantal opvolgende bedieningen van de contacten door één handmatige bediening van het werkende deel H01H 41\5)
G11C 11/52
gebruikmakend van elektromagnetisch relais
G11C 11/54
gebruikmakend van elementen voor het nabootsen van biologische cellen, bijv. een neuron
G11C 14/00
Digitale geheugens die worden gekenmerkt door voorzieningen van elementen met vluchtige en niet-vluchtige opslageigenschappen als reserve bij stroomuitval [5]
G11C 15/00
Digitale geheugens waarin informatie met één of meer kenmerkende delen wordt geschreven naar het geheugen en waarin informatie wordt uitgelezen door het zoeken naar één of meer van die kenmerkende delen, d.w.z. associatieve of op inhoud geadresseerde geheugens (waarin informatie wordt geadresseerd naar een specifieke plaats G11C 11\5) [2]
G11C 15/02
gebruikmakend van magnetische elementen [2]
G11C 15/04
gebruikmakend van halfgeleiderelementen [2]
G11C 15/06
gebruikmakend van cryogene elementen [2]
G11C 16/00
Wisbare programmeerbare geheugens voor alleen lezen (PROM) G11C 14\5 heeft voorrang) [5]
G11C 16/02
elektrisch programmeerbaar [5]
G11C 16/04
gebruikmakend van variabele drempeltransistors, bijv. FAMOS [5]
G11C 16/06
Hulpcircuits, bijv. voor het naar een geheugen schrijven (in het algemeen G11C 7\5) [5]
G11C 16/08
Adresseercircuits; Decodeerorganen; Woordregel-regelcircuits [7]
G11C 16/10
Programmeercircuits of gegevens-invoercircuits [7]
G11C 16/12
Schakelcircuits voor de programmeerspanning [7]
G11C 16/14
Circuits voor het elektrisch wissen, bijv. schakelcircuits voor de wisspanning [7]
G11C 16/16
voor het wissen van blokken, bijv. reeksen, woorden of groepen [7]
G11C 16/18
Circuits voor het optisch wissen [7]
G11C 16/20
Starten; Gegevensvoorinstelling; Chipidentificatie [7]
G11C 16/22
Beveiligingscircuits of beschermingscircuits voor het voorkomen van ongeoorloofde of onopzettelijke toegang tot geheugenelementen [7]
G11C 16/24
Bitline regelcircuits [7]
G11C 16/26
Aftastcircuits of leescircuits; Gegevens-uitvoercircuits [7]
G11C 16/28
gebruikmakend van differentiaal-aftastelementen of differentiaalreferentie-elementen, bijv. schijnelementen [7]
G11C 16/30
Vermogenstoevoercircuits [7]
G11C 16/32
Tijdcircuits [7]
G11C 16/34
Bepalen van de programmeerstatus, bijv. drempelspanning, over-programmering of onder-programmering, of retentie [7]
G11C 17/00
Geheugens voor alleen lezen die slechts eenmaal kunnen worden geprogrammeerd; Semipermanente geheugens, bijv. handmatig vervangbare informatiekaarten (wisbare programmeerbare geheugens voor alleen lezen G11C 16\5; coderen, decoderen of code-omzetting in het algemeen H03M) [2,5]
G11C 17/02
gebruikmakend van magnetische of inductieve elementen G11C 17\5 heeft voorrang) [2,5]
G11C 17/06
gebruikmakend van diode-elementen G11C 17\5 heeft voorrang) [2,5]
G11C 17/08
gebruikmakend van halfgeleiderinrichtingen, bijv. bipolaire elementen G11C 17\5 en G11C 17\5 hebben voorrang) [5]
G11C 17/10
waarin de inhoud wordt bepaald tijdens het maken door een vooraf bepaalde opstelling van koppelelementen, bijv. een met een masker programmeerbare ROM [5]
G11C 17/12
gebruikmakend van veldinrichtingen [5]
G11C 17/14
waarin de inhoud wordt bepaald door het selectief tot stand brengen, verbreken of modificeren van verbindingsschakels door het blijvend veranderen van de toestand van koppelelementen, bijv. een PROM [5]
G11C 17/16
gebruikmakend van elektrisch versmeltbare schakels [5]
G11C 17/18
Hulpcircuits, bijv. voor het schrijven naar een geheugen (in het algemeen G11C 7\5) [5]
G11C 19/00
Digitale geheugens waarin informatie stapsgewijze wordt verplaatst, bijv. schuifregisters (tellen van ketens H03K 23\5)
G11C 19/02
gebruikmakend van magnetische elementen G11C 19\5 heeft voorrang) [2]
G11C 19/04
gebruikmakend van kernen met één opening of magnetische lus [2]
G11C 19/06
gebruikmakend van structuren met een aantal openingen of magnetische lussen, bijv. transfluxors [2]
G11C 19/08
gebruikmakend van dunne films in een vlakke structuur [2]
G11C 19/10
gebruikmakend van dunne films op stangen; met twistors [2]
G11C 19/12
gebruikmakend van niet-lineaire reactieve inrichtingen in resonantiecircuits [2]
G11C 19/14
gebruikmakend van magnetische elementen in combinatie met actieve elementen, bijv. ontladingsbuizen of halfgeleiderelementen G11C 19\5 heeft voorrang) [2,7]
G11C 19/18
gebruikmakend van condensatoren als hoofdelementen van de trappen [2]
G11C 19/20
gebruikmakend van ontladingsbuizen G11C 19\5 heeft voorrang) [2]
G11C 19/30
gebruikmakend van opto-elektronische inrichtingen, d.w.z. met licht-uitstralende en foto-elektrische inrichtingen die elektrisch of optisch zijn gekoppeld [2]
G11C 19/32
gebruikmakend van supergeleidende elementen [2]
G11C 19/34
gebruikmakend van geheugenelementen met meer dan twee stabiele toestanden die worden weergegeven door trappen, bijv. van de spanning, stroom, fase of frequentie [7]
G11C 19/36
gebruikmakend van halfgeleiderelementen [7]
G11C 19/38
tweedimensionaal, bijv. horizontale en verticale schuifregisters [7]
G11C 21/00
Digitale geheugens waarin informatie circuleert (stapsgewijze G11C 19\5)
G11C 21/02
gebruikmakend van elektromechanische vertragingslijnen, bijv. gebruikmakend van een kwik-vat
G11C 23/00
Digitale geheugens die worden gekenmerkt door het bewegen van mechanische delen voor het kunnen opslaan, bijv. gebruikmakend van kogels; Opslagelementen daarvoor (opslaan door het in werking stellen van contacten G11C 11\5)
G11C 25/00
Digitale geheugens die worden gekenmerkt door het gebruik van stromende media; Opslagelementen daarvoor
G11C 27/00
Elektrische analoge geheugens, bijv. voor het opslaan van momentane waarden
G11C 27/04
Schuifregisters (door een lading gekoppelde inrichtingen op zich H01L 29\5) [4]
G11C 29/00
Controleren van geheugens op de juiste werking; Testen van geheugens tijdens het niet in gebruik of niet in bedrijf zijn [8]
G11C 29/02
Detecteren of lokaliseren van defecte hulpcircuits, bijv. defecte verversingstellers [8]
G11C 29/04
Detecteren of lokaliseren van defecte geheugenelementen [8]
G11C 29/06
Versnellingstesten [8]
G11C 29/08
Functietesten, bijv. testen tijdens het verversen, zelftesten bij aanschakelen [POST] of gespreid testen [8,15]
G11C 29/10
Testalgoritmen, bijv. geheugenscan [MScan] algoritmen; Testpatronen, bijv. schaakbordpatronen [8,15]
G11C 29/12
Ingebouwde testvoorzieningen, bijv. ingebouwd zelftesten [BIST] [8,15]
G11C 29/14
Implementatie van regellogica, bijv. testroutine-decodeerorganen [8]
G11C 29/16
gebruikmakend van micro-geprogrammeerde eenheden, bijv. state machines [8]
G11C 29/18
Inrichtingen voor het genereren van adressen; Inrichtingen voor het toegang krijgen tot geheugens, bijv. details van adresseercircuits [8]
G11C 29/20
gebruikmakend van tellers of schuifregisters met lineaire terugkoppeling [LFSR] [8,15]
G11C 29/22
Toegang krijgen tot seriële geheugens [8]
G11C 29/24
Toegang krijgen tot extra cellen, bijv. dummy cellen of redundante cellen [8]
G11C 29/26
Toegang krijgen tot meerdere rijen G11C 29\5 heeft voorrang) [8]
G11C 29/28
Afhankelijke meerdere rijen, bijv. multibitrijen [8]
G11C 29/30
Toegang krijgen tot afzonderlijke rijen [8]
G11C 29/32
Seriële toegang; Testen door scanning [8]
G11C 29/34
Gelijktijdig toegang krijgen tot meerdere bits [8]
G11C 29/36
Inrichtingen voor het genereren van gegevens, bijv. gegevens-omvormers [8]
G11C 29/38
Inrichtingen voor antwoordverificatie [8]
G11C 29/40
gebruikmakend van compressietechnieken [8]
G11C 29/42
gebruikmakend van foutcorrectiecodes [ECC] of pariteitscontrole [8,15]
G11C 29/44
Indicatie of identificatie van fouten, bijv. ten behoeve van reparatie [8]
G11C 29/46
Testen van de triggerlogica [8]
G11C 29/48
Speciaal aangepaste voorzieningen in statische geheugens om te kunnen testen met middelen buiten het geheugen, bijv. gebruikmakend van directe geheugentoegang [DMA] of van extra toegangspaden (externe testuitrusting G11C 29\5) [8,15]
G11C 29/50
Marginaal testen, bijv. het testen van de race, spanning of stroom [8]
G11C 29/52
Beschermen van de geheugeninhoud; Detecteren van fouten in de geheugeninhoud [8]
G11C 29/54
Voorzieningen voor het ontwerpen van testcircuits, bijv. testontwerp [DFT] gereedschap [8,15]
G11C 29/56
Externe testuitrusting voor statische geheugens, bijv. automatische testuitrusting [ATE]; Interfaces daarvoor [8,15]
G11C 99/00
Onderwerpen voor zover niet vallend onder andere groepen in deze subklasse [8]